STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9 Leistungs-MOSFET
Der STP65N045M9 MDmesh M9 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs entwickelt, die einen sehr niedrigen RDS(on) pro Fläche aufweisen. Der Baustein verwendet die innovative Super-Junction-Technologie MDmesh M9, die einen Multi-Drain-Herstellungsprozess bietet, der eine verbesserte Bausteinstruktur ermöglicht.
Der STP65N045M9 MDmesh M9 Leistungs-MOSFET von STM verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand und reduzierte Gate-Ladungswerte. Diese Funktionen machen den STP65N045M9 besonders geeignet für Applikationen, die eine hervorragende Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.
Merkmale
- Hervorragender RDS(on) pro Fläche in Silizium-basierten Bauteilen
- Höhere VDSS-Einstufung
- Höhere dv/dt-Fähigkeit
- Hervorragende Schaltleistung
- Einfach zu betreiben
- 100 % Avalanche-getestet
Typische Applikation
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Veröffentlichungsdatum: 2022-05-18
| Aktualisiert: 2023-02-13