STMicroelectronics STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh-K6-Leistungs-MOSFET
Der STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh K6 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein Hochspannungs-N-Kanal Leistungs-MOSFET mit Zener-Schutz und 100% Avalanche. Dieser MOSFET zeichnet sich außerdem durch eine extrem niedrige Gate-Ladung, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V, eine Gesamtverlustleistung von 83 W, eine weltweit beste RDS(ON) x Fläche und eine weltweit beste FOM (Gütezahl) aus. Der MOSFET arbeitet im Sperrschichttemperaturbereich von -55°C bis 150°C und ist im DPAK (TO-252)-Gehäuse vom Typ A2 erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören Sperrwandler, LED-Beleuchtung und Adapter für Tablets und Notebooks.Merkmale
- Extrem niedrige Gate-Ladung
- Weltweit beste RDS(ON) x Fläche
- Weltweit beste FOM (Gütezahl)
- Gate-Source-Spannung: ±30 V
- Gesamtverlustleistung: 83 W
Applikationen
- Sperrwandler
- LED-Beleuchtung
- Adapter für Tablets und Notebooks
Veröffentlichungsdatum: 2023-01-20
| Aktualisiert: 2024-06-25
