STMicroelectronics EVALSTGAP2SiCS Demonstrationsboard
Das STMicroelectronics EVALSTGAP2SiCS Demonstrationsboard ermöglicht die Evaluierung aller Funktionen des STGAP2SiCS bei gleichzeitiger Ansteuerung einer Halbbrücken-Leistungsstufe mit einer Nennspannung von bis zu 1.200 V in TO-220- oder TO-247-Gehäusen. Der STGAP2SiCS ist ein isolierter Einzelgate-Treiber. Der Gate-Treiber zeichnet sich durch eine Strombelastbarkeit von 4 A und Rail-to-Rail-Ausgängen aus, wodurch sich das Bauteil auch für Hochleistungswechselrichter-Applikationen eignet. Die Board-Bauelemente sind leicht zugänglich und einfach zu modifizieren, um die Evaluierung der Treiberleistung unter verschiedenen Applikationsbedingungen und die Feinanpassung der Bauelemente für die Endapplikation zu vereinfachen.
Merkmale
- Bauteil
- Treiberstrombelastbarkeit: 4 A Quelle/Senke bei 25 °C
- Separate Senke und Quelle für einfache Gate-Ansteuerkonfiguration
- Galvanische Trennung: 6.000 V
- Kurze Laufzeitverzögerung: 75 ns
- UVLO-Funktion
- Gate-Ansteuerspannung bis zu 26 V
- 3,3 V, 5-V-TTL-/CMOS-Eingänge mit Hysterese
- Übertemperaturschutz
- Standby-Funktion
- Board
- Hochspannungsschiene: bis zu 1.200 V
- Negative Gate-Ansteuerung
- Isolierte On-Board-DC/DC-Wandler zur Versorgung von High-Side- und Low-Side-Gate-Treibern, die von VAUX = 5 V mit einer maximalen Isolierung von 5,2 kV gespeist werden
- Logikversorgung von 3,3 V VDD wird auf dem Board erzeugt oder 5 V (extern angelegt)
- Einfache Steckbrückenauswahl der Ansteuerspannungskonfiguration: +17/0 V, +17/-3 V, +19/0 V, +19/-3 V
Applikationen
- Industrial
- Renewable energy
- Power supplies
- Automotive and transportation
- Aerospace and defense
- HVAC systems
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Veröffentlichungsdatum: 2020-10-19
| Aktualisiert: 2025-01-08