Renesas Electronics ISL78444EVAL1Z Evaluierungsboard

Das Renesas Electronics ISL78444EVAL1Z Evaluierungsboard ist für eine schnelle und umfassende Methode zur Evaluierung der ISL78444 100V-4A-Halbbrücken-Treiber mit 3 A Quelle für die Gate-Ansteuerung von zwei NMOS-FETs in einer Halbbrücken-Konfiguration ausgelegt. Zwei n-Kanal-MOSFETs sind im Evaluierungsboard enthalten und ermöglichen die Evaluierung einer Halbbrücken-angesteuerten Last, wie z. B. ein DC-Motor oder ein synchroner Schaltregler.

Merkmale

NMOS-Gate-Trieber mit 3 A Quelle und 4 A Senke
Interner Pegelwandler und Bootstrap-Schalter für Gate-Treiber auf dem High-Side-FET
Bis zu 70 V High-Side-Antriebsreferenz
Umgebungstemperaturbereich: -40 °C bis +140 °C

Vorspannungsversorgungsbetrieb: 8 V bis 18 V
PWM-Einzeleingang für High-Side- und Low-Side-Dreipegel-Gate-Treiber für das Abschalten von beiden Treibern
Anpassbare Totzeit über einen Einzelwiderstand von 35 ns bis 400 ns