Qorvo QPD1014A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
Die eingangsangepassten GaN-Transistoren der Baureihe QPD1014A von Qorvo sind Galliumnitrid-auf-Siliciumcarbid-High-Electron-Mobility-Transistoren (GaN-on-SiC-HEMT) mit 15 W (P3dB), 50-Ω-Eingangsanpassung, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz bei 50 V Versorgungsspannung betrieben werden. Ein integriertes Eingangsanpassungsnetzwerk ermöglicht eine breitbandige Verstärkungs- und Leistungsfähigkeit, während der Ausgang on-board angepasst werden kann, um die Leistung und den Wirkungsgrad für jeden Bereich innerhalb des Frequenzbereichs bis optimieren. Die Transistoren der Baureihe QPD1014A von Qorvo sind in einem 6 mm x 5 mm x 0,85 mm bleifreien SMT-Gehäuse untergebracht, das Platz in den ohnehin schon beengten Handfunkgeräten spart.
Merkmale
- 15 W (P3dB), diskreter GaN-on-SiC-HEMT mit 50 Ω Eingangsanpassung
- Arbeitet im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1,2 GHz bei einer Versorgungsspannung von 50 V
- Integriertes Eingangsanpassungsnetzwerk
- Gehäuse mit niedrigem thermischen Widerstand
- CW- und Impuls-fähig
- Oberflächenmontiertes DFN-Gehäuse mit den Abmessungen 6 mm x 5 mm x 0,85 mm
- SVHC- und PFOS-frei
- Bleifrei, halogen-/antimonfrei und RoHS-konform
Applikationen
- Basisstationen
- Aktive Antennen
- Militär-Radar
- Zivile Radaranlagen
- Landmobilfunk und Funkkommunikation
- Störsender
Technische Daten
- +145 V maximale Durchschlagspannung
- 1 A maximaler Drainstrom
- Drain-Spannungsbereich von 12 V bis 55 V
- Typischer Drain-Bias-Strom von 20 mA
- Maximaler Gate-Spannungsbereich von –8 V bis +2 V, typisch –2,8 V
- Maximaler Gate-Strombereich von 3,6 mA
- Maximale Verlustleistung von 15,8 W, maximale Betriebsleistung von 14,4 W
- Maximale HF-Eingangsleistung 31 dBm
- Typischer Frequenzbereich von 0,6 GHz bis 1,2 GHz
- Lineare Verstärkungsbereiche
- 20,1 dB bis 21,5 dB leistungsoptimiert
- 21,2 dB zu 23,0 dB effizienzoptimiert
- Ausgangsleistungsbereiche bei 3 dB Kompression
- 41,9 dBm bis 42,7 dBm leistungsoptimiert
- 39,0 dBm bis 41,2 dBm effizienzoptimiert
- Bereiche der Leistungszusatzeffizienz bei 3 dB Komprimierung
- 60,0 % bis 65,0 % leistungsoptimiert
- 70,4 % bis 79,2 % effizienzoptimiert
- Verstärkungsbereiche bei 3 dB Kompression
- 17,1 dB bis 18,5 dB leistungsoptimiert
- 18,2 dB bis 20,0 dB effizienzoptimiert
- +320 °C maximale Montagetemperatur für 30 s
- -40 °C bis +85 °C Betriebstemperaturbereich
- Maximale Kanaltemperatur +250 °C
- Feuchteempfindlichkeitsstufe (MSL) 3
- ESD-Festigkeitswerte gemäß ANSI/ESD/JEDEC JS-001
- 250 V Human-Body-Modell (HBM)
- 1000 V Charged Device Model (CDM)
Funktionales Blockdiagramm
Development Tool
Qorvo QPD1014AEVB Evaluierungsboard
Speziell entwickelt zur schnellen Charakterisierung von Bauteilen und zum Prototyping von Verstärkern im Frequenzbereich von 100 MHz bis 1 GHz.
Veröffentlichungsdatum: 2026-01-13
| Aktualisiert: 2026-01-20