Panasonic Industrial Devices AQZ404 PhotoMOS®-Leistungsrelais

Das Panasonic AQZ404 PhotoMOS-Leistungsrelais wird in einem schlanken 4-Pin-SIL-Gehäuse (2,10 mm x 3,5 mm x 12,5 mm) angeboten und bietet eine Bestückung mit hoher Dichte. Die kompakten AQZ404 Relais verfügen über eine platzsparende Bauweise, einen niedrigen Einschaltwiderstand (2,8 Ω typisch), eine hohe Empfindlichkeit und eine normal geschlossene Kontaktanordnung (1 Form B). Dies wird durch einen eingebauten MOSFET ermöglicht, der durch die proprietäre DSD-Methode (Double-Diffused und Selective Doping, DSD) verarbeitet wird. Die AQZ404 Relais können auf den RT-3 Relais-Anschlüssen installiert werden.

Merkmale

  • Hohe Empfindlichkeit und niedriger Einschaltwiderstand
  • Normal geschlossene (1 Form B) Kontaktanordnung
  • Schlankes 4-Pin-SIL-Gehäuse
  • Kann auf den RT-3-Relais-Anschluss installiert werden (PhotoMOS-Leistungstyp)

Applikationen

  • Verkehrsampeln
  • Messgeräte
  • Industriemaschinen

Technische Daten

  • Eingang
    • LED-Durchlassstrom: 50 mA
    • LED-Sperrspannung: 5 V
    • Spitzen-Durchlassstrom: 1 A
    • Verlustleistung: 75 mW
  • Ausgang
    • Load-Spannung (Spitzen-AC): 400 V
    • Dauerlaststrom: 0,5 A
    • Spitzen-Laststrom: 1,5 A
    • Verlustleistung: 1,6 W
  • I/O-Isolationsspannung: 2.500 VRMS
  • Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +85 °C
  • Lagertemperaturbereich: -40 °C bis +100 °C
  • Anfänglicher I/O-Isolationswiderstand: 1.000 MΩ
  • Betriebsfrequenz: 0,5 cps (max.)
  • Abmessungen: 21,0 mm x 3,5 mm x 12,5 mm
  • RoHS-konform

Videos

Veröffentlichungsdatum: 2018-08-24 | Aktualisiert: 2024-06-28