ON Semiconductor Einzel-n- & p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

ON Semiconductor Einzel-n- &p-Kanal-Leistungs-MOSFETs ermöglichen eine kleine Auflagefläche, niedrigen RDS(on) und niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Leitungs- und Treiberverluste. ON Semiconductor Einzel n- & p-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind bleifrei und eignen sich für automobile und andere Anwendungen, die AEC-Q101 qualifizierte Platz- und Änderungskontrolle erfordern.

Merkmale

  • Small footprint
  • Low RDS(on)
  • Low QG
  • Low capacitance
  • Lead−free devices

Technische Daten

  • 60VDS drain-source breakdown voltage
  • 52mΩ RDS(on) drain-source resistance
  • 14A continuous drain current