onsemi NVMFD6H852NL 25-A-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 80 V
Der onsemi NVMFD6H852NL 25-A-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 80 V ist für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig. Dieses n-Zweikanal-Bauteil bietet einen niedrigen Drain-Quellen-Einschaltwiderstand, eine niedrige Gate-Ladung und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Der NVMFD6H852NL Leistungs-MOSFET wird für ein kompaktes Design in einem 8-Pin-DFN-Gehäuse mit kleinem Footprint angeboten und ist wahlweise mit benetzbaren Flanken oder einer verbesserten optischen Inspektion verfügbar.
Merkmale
- AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig
- Drain-Quellspannung (VDSS): 80 V
- Maximaler Dauersenkenstrom (ID): 25 A
- Niedrige Drain-Quellspannung (RDS(on))
- 25,5 mΩ bei 10 V
- 31,5 mΩ bei 4,5 V
- Niedrige Gesamt-Gate-Ladung (QG(TOT))
- 10 nC bei VGS = 10 V, VDS = 40 V; ID = 10 A
- 5 nC bei VGS = 4,5 V, VDS = 40 V; ID = 10 A
- Eingangskapazität (CISS): 521 pF
- Ausgangskapazität (COSS): 69 pF
- Rückübertragungskapazität (CRSS): 4 pF
- Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich (TJ, Tstg): -55 °C bis +175 °C
- Gehäuseausführung: DFN-8
- Gehäuseabmessungen: 5 mm x 6 mm
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Automotive
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
- Solarwechselrichter
- Motorantriebe
Interner Schaltplan
Gehäuseabmessungen
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Veröffentlichungsdatum: 2019-09-03
| Aktualisiert: 2024-02-28