onsemi NVHL045N065SC1 Siliziumkarbid (SiC) -MOSFETs

Die Siliziumkarbid (SiC) -MOSFETs NVHL045N065SC1 von onsemi verfügen über die EliteSic-Technologie und liefern hervorragende Schaltleistung. Die MOSFETs NVHL045N065SC1 von onsemi bieten eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-MOSFETs. Durch den geringen On-Widerstand und die kompakte Chipgröße der MOSFETs wird eine niedrige Kapazität erreicht, was zu hoher Effizienz, schneller Betriebsfrequenz, erhöhter Leistungsdichte, reduzierter elektromagnetischer Störung (EMI) und einer kompakteren Systemgröße beiträgt. Diese MOSFETs setzen fortschrittliche Technologie für eine optimierte Leistung in elektronischen Anwendungen ein.

Merkmale

  • Gemäß AEC-Q101 für den Einsatz im Automobilbereich geeignet
  • 100 % UIS-getestet
  • 650 V eingestuft
  • RoHS-konform
  • Max. RDS(on) = 50 mΩ bei Vgs = 18 V, Id = 66 A

Applikationen

  • On-Board-Ladegeräte im Automobilbereich
  • DC/DC-Wandler für EV/HEV im Automobilbereich

Applikations-Schaltungsdiagramm

Applikations-Schaltungsdiagramm - onsemi NVHL045N065SC1 Siliziumkarbid (SiC) -MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2024-02-14 | Aktualisiert: 2024-06-18