onsemi NJVMJD45H11G Bipolarer Sperrschichttransistor

Der bipolare Sperrschichttransistor (BJT) NJVMJD45H11G von ON Semiconductor ist ein schnelles Schaltgerät mit geringer Sättigungsspannung des Kollektor-Emitters. Die elektrischen Eigenschaften des NJVMJD45H11G Transistors umfassen: 8 A Strom, 80 V Spannung und 20 W Leistung. Dieser Transistor ist elektrisch der D44H/D45H-Serie ähnlich. Der NJVMJD45H11G ist in einer Ausführung mit geraden Anschlussleitungen in Kunststoffhülsen mit komplementären Paaren erhältlich, um die Designs zu vereinfachen. Dieser Transistor wird für allgemeine Energie- und Schaltvorrichtungen verwendet.Die Applikationen umfassen Schaltregler, Wandler und Leistungsverstärker.