NXP Semiconductors MHT2012N Referenzschaltung

Die NXP Semiconductors MHT2012N Referenzschaltung ermöglicht eine schnelle Evaluierung und ein schnelles Prototyping des MHT2012 integrierten LDMOS-HF-Leistungstransistors. Der MHT2012N Leistungsverstärker ist für HF-Energie-Applikationen im 2.450-MHz-ISM-Band ausgelegt und ist für einen Betrieb bis zu max. 32 VDD qualifiziert.

Merkmale

  • MHT2012N Integrierter HF-LDMOS-Leistungsverstärker
  • Die hohe Gain vereinfacht das Layout und reduziert die PCB-Fläche im Vergleich zu einem diskreten Design
  • Qualifiziert für einen Betrieb von bis zu max. 32 VDD
  • On-Chip-Eingangs- und Zwischenstufen-Anpassung (50-Ohm-Eingang)
  • Integrierte Ruhestrom-Temperaturkompensation mit Aktivierungs-/Deaktivierungs-Funktion
  • Integrierter ESD-Schutz

Leistungsfähigkeit

Tabelle - NXP Semiconductors MHT2012N Referenzschaltung
Veröffentlichungsdatum: 2019-11-18 | Aktualisiert: 2023-10-19