NXP Niedrige VCEsat (BISS) Transistoren

NXP Niedrige VCEsat (BISS) Transistoren

NXP Niedrige VCEsat (BISS) Transistoren bieten einen Dual-Lastschalter mit Doppel-RETs und Doppel-BISS-Transistoren. Die niedrigen VCEsat (BISS) Transistoren von NXP halten den Stromverbrauch und die Wärmeabgabe auf einem Minimum und liefern einen niedrigen Stromverbrauch sowie eine hohe Kollektorstrom-Fähigkeit durch die Nutzung der innovativen Mesh-Emitter-Technologie.
Merkmale
  • Hohe Leistung in reduzierter Platinenfläche
  • Hohe Kollektorstromverstärkung hFE bei hohem IC
  • Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung CEsat und entsprechender Widerstand RCEsat (bis zu <>
  • Kosteneffektiver Ersatz für Leistungstransistoren mit hoher und mittlerer Leistung wie SOT89, SOT223, TO-126 und DPAK
  • Hohe Kollektorstromfähigkeit IC und ICM
Anwendungsbereiche
  • Netzschalter für LAN und ADSL-Systeme / DC-DC-Umwandlung mit mittlerer Leistung
  • Umrichteranwendungen z.B. TFT-Displays
  • Mittlere Leistungsperipherietreiber z.B. Ventilator, Motor
  • Batterieladegeräte / Lastschalter
  • Stroboskop-Blitzgeräte für Digitalkameras und Mobiltelefone
Teile-Nr.Gehäuse/HülleTransistor-PolaritätKollektor-Emitterspannung VCEO max.Kollektor-Emitter-SättigungsspannungMaximaler Kollektorgleichstrom (DC)DC Stromverstärkung hFE Max.Datenblatt
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