Nexperia BJT Bipolartransistoren im DFN-Gehäuse
Nexperia BJT DFN-Gehäuse Leistungsbipolartransistoren bieten einen kleinen Formfaktor, der etwa 75 % weniger Platinenfläche benötigt und mehr Designflexibilität ermöglicht. Diese bipolaren Transistoren verfügen über eine reduzierte parasitäre Induktivität und Kapazität mit einem verbesserten, niedrigen thermischen Widerstand, wodurch eine höhere Zuverlässigkeit ermöglicht wird. Die BJT-Komponenten eignen sich hervorragend für Applikationen, bei denen der Platz begrenzt ist. Zu den Applikationen gehören mobile Geräte, Wearables, Automotive-Sensoren und Kameramodule.
Merkmale
- Kleiner Formfaktor, benötigt etwa 75 % weniger Platz auf der Leiterplatte und ermöglicht mehr Flexibilität beim Design
- Niedriger thermischer Widerstand (Rthj-S)
- Reduzierte parasitäre Induktivität und Kapazität
- Verbessertes thermisches Verhalten ermöglicht eine höhere Zuverlässigkeit
- Optionale seitenbenetzbare Flanken (SWF) ermöglichen eine automatische optische Inspektion (AOI)
- AEC-Q101-Qualifizierung
Applikationen
- Linear-Spannungsregelung
- Lastschalter
- Batteriebetriebene Geräte
- Leistungsmanagement
- Ladeschaltungen
- Leistungsschalter (z. B. Motoren, Lüfter)
- Fahrzeuganwendungen
- LiDAR
- RADAR
- Beleuchtung
- Antriebsstrang
- BMS
- Spiegel
- Infotainment
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Veröffentlichungsdatum: 2023-07-05
| Aktualisiert: 2025-04-04