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Nexperia BC847xQC NPN-Universal-Transistoren

Nexperia BC847xQC NPN-Universal-Transistoren verfügen über hohe Verlustleistungsfähigkeit, eine niedrige Gehäusehöhe von 0,5 mm und sind in einem DFN1412D-3-SMD-Gehäuse verfügbar. Diese Transistoren arbeiten mit 45 V Kollektor-Emitter Spannung (VCEO), 100 mA Kollektorstrom (IC), 200 mA Spitzenkollektorstrom (ICM) und einem Umgebungstemperaturbereich von -55 °C und 150 °C. Die BC847xQC Transistoren bieten einen kleineren Footprint im Vergleich zu herkömmlichen verdrahteten SMD-Gehäusen und werden in Applikationen, wie z. B. Universal-Schaltung/Verstärkung und platzbeschränkte Applikationen verwendet.

Merkmale

  • Hohe Verlustleistungsbeständigkeit
  • Eignet sich für die Automatische Optische Prüfung (AOI) von Lötverbindungen
  • Kleinerer Footprint im Vergleich zu herkömmlichen bedrahteten SMD-Gehäusen
  • Niedrige Gehäusehöhe: 0,5 mm
  • AEC-Q101-qualifiziert

Technische Daten

  • Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO): 45 V
  • Kollektorstrom (IC): 100 mA
  • Spitzenkollektorstrom (ICM): 200 mA
  • 10 dB Rauschfaktor
  • Emitter-Basis Durchschlagspannung (V(BR)EBO): 6 V
  • Kollektor-Emitter-Durchschlagspannung (V(BR) CEO): 45 V
  • Kollektor-Basis-Durchschlagspannung (V(BR) CBO): 50 V
  • -55 °C und 150 °C Umgebungstemperaturbereich

Applikationen

  • Universal-Schaltung und -Verstärkung
  • Platzbeschränkte Applikationen

Kennlinie

Leistungsdiagramm - Nexperia BC847xQC NPN-Universal-Transistoren

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Veröffentlichungsdatum: 2022-01-04 | Aktualisiert: 2023-10-31