Nexperia BAS16L Hochgeschwindigkeits-Schaltdioden
Nexperia BAS16L Hochgeschwindigkeits-Schaltdioden sind in einem unverdrahteten, extrem kleinen DFN1006BD-2-SMD-Kunststoffgehäuse (SOD882BD) mit seitenbenetzbaren Flanken eingekapselt. Diese Dioden arbeiten mit einer hohen Schaltgeschwindigkeit von trr ≤ 4 ns, einer periodischen Spitzensperrspannung von VRRM ≤ 100 V, einer niedrigen Kapazität und einer Sperrspannung von VR ≤ 100 V. Die BAS16L Dioden verfügen über extrem kleine, unbe+drahtete SMD-Kunststoffgehäuse, die AEC-Q101-qualifiziert sind und in Applikationen, wie z. B. Hochgeschwindigkeits-Schaltung und Universal-Schaltung verwendet werden.
Merkmale
- Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4ns
- Periodische Spitzensperrspannung: VRRM ≤ 100 V
- Sperrspannung: VR ≤ 100 V
- Niedriger Ableitstrom
- Geringe Kapazität
- Extrem kleines und bleifreies SMD-Kunststoffgehäuse
- AEC-Q101-qualifiziert
Applikationen
- Hochgeschwindigkeitsschaltung
- Universalschaltung
Kennlinie
Verwandte Produkte
Nexperia Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN
Erfüllt die wachsende Nachfrage nach elektronischen Funktionen in Fahrzeugen.
View Results ( 3 ) Page
| Teilnummer | Verpackung/Gehäuse | Vf - Durchlassspannung | Minimale Betriebstemperatur | Maximale Betriebstemperatur | Pd - Verlustleistung | RoHS - Mouser | Spitzensperrspannung | Max. Spitzenstrom |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAS16LS-QYL | DFN-1006BD-2 | 1.25 V | - 55 C | + 150 C | 645 mW | Y | 100 V | 4 A |
| BAS16L,315 | DFN-1006-2 | 1.25 V | - 65 C | + 150 C | Y | 100 V | 4 A | |
| BAS16LSYL | SOD-882BD-2 | 1.25 V | - 55 C | + 150 C | 345 mW | Y | 100 V | 4 A |
Veröffentlichungsdatum: 2021-12-06
| Aktualisiert: 2023-10-30