Wolfspeed SiC-C3M-MOSFETs
Die SiC-C3M-MOSFETs von Cree ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und reduziere Bauteilgrößen von Induktoren, Kondensatoren, Filtern und Transformatoren. Die SiC-C3M-MOSFETs verfügen über eine höhere Systemeffizienz und einen reduzierten Kühlbedarf. Die MOSFETs erhöhen auch die Leistungsdichte und Systemschaltfrequenz.
Merkmale
- C3M SiC MOSFET technology
- High blocking voltage with low on-resistance
- High speed switching with low capacitances
- Low impedance package with driver source
- Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
- Halogen-free, RoHS compliant
Applikationen
- Renewable energy
- EV battery chargers
- High voltage DC/DC converters
- Switch-mode power supplies
- Lighting
- Telecom power supplies
- Induction heating
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Wolfspeed 750 V Diskrete Siliziumkarbid-MOSFETs
Ermöglichen eine hohe Systemleistungsdichte mit einem Design mit niedrigem Profil in Industriestandard-Gehäusen.
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| Teilnummer | Datenblatt | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Qg - Gate-Ladung | Pd - Verlustleistung | Anstiegszeit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| C3M0021120D |  |
100 A | 28.8 mOhms | 160 nC | 469 W | 27 ns |
| C3M0032120D | |
63 A | 32 mOhms | 114 nC | 283 W | 22 ns |
| C3M0900170J-TR | |
|||||
| C3M0900170D | |
|||||
| C3M0060065K | |
37 A | 60 mOhms | 46 nC | 150 W | 11 ns |
| C3M0900170M | |
|||||
| C3M0032120K | |
63 A | 32 mOhms | 118 nC | 283 W | 18 ns |
Veröffentlichungsdatum: 2016-01-26
| Aktualisiert: 2024-05-09