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Wolfspeed Verfügt über SiC-Halbbrückenmodule für raue Umgebungen

Wolfspeed   HAS Siliziumkarbid (SiC)-Halbbrückenmodule für raue Umgebungen, die die Systemvorteile von SiC bieten, während gleichzeitig das robuste 62 mm-Modul-Gehäuse nach Industriestandard beibehalten wird. Das interne Design aufgrund des Layouts mit niedriger Induktivität ermöglicht Hochgeschwindigkeits-SiC-Schaltvorteile und einen erhöhten Systemwirkungsgrad. Die Wolfspeed  HAS Module eignen sich hervorragend für High-Mode -Industrieapplikationen, wie z. B. Induktionserwärmung, Schienenverkehr/Traktion, Motorantriebe und EV-Ladeinfrastrukturen.

Merkmale

  • 62 mm-Footprint nach Industriestandard ermöglicht eine System-Nachrüstung
  • Großes Portfolio an Nennströmen und Nennspannungen verfügbar, um verschiedene Industrieapplikationen zu erfüllen
  • Betrieb mit hoher Luftfeuchtigkeit THB-80 (HV-H3TRB)
  • Extrem verlustarmer Hochfrequenzbetrieb
  • Keine Sperrverzögerung von Dioden
  • Kein Ausschalt-Nachlaufstrom vom MOSFET
  • Normal-Aus, ausfallsicherer Gerätebetrieb
  • Erhöhter Systemwirkungsgrad durch geringe Schalt- und Leitungsverluste des SiC
  • Schnelle Markteinführung mit minimaler Entwicklung, die für den Übergang von 62 mm IGBT-Gehäusen erforderlich ist
  • Bodenplatte aus Kupfer und Aluminiumnitrid-Isolator

Applikationen

  • Induktionserwärmung
  • Motorantriebe
  • Erneuerbare Energien
  • Eisenbahnhilfs- und Traktionsmittel
  • EV-Schnelladesysteme
  • UPS und SMPS

Technische Daten

  • 1.200 V oder 1.700 V Drain-Source-Spannungsoptionen
  • -8 V bis +19 V Gate-Source-Spannungsbereich, -4 V bis +15 V Bereich empfohlen
  • Typischer Gleichstrom-Dauersenkenstrombereich: 175 A bis 630 A
  • 236 A 632 A Typischer DC-Source-Drain-Strombereich (Schottky-diode)
  • Typischer Pulse-Drain-Strombereich: 350 A bis 1.060 A
  • Typischer Verlustleistungsbereich: 789 W bis 2.000 W
  • -40 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich

Schaltplan und Pinbelegung

Schaltplan - Wolfspeed Verfügt über SiC-Halbbrückenmodule für raue Umgebungen

Ressourcen

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Teilnummer Datenblatt Beschreibung
HAS310M17BM3 HAS310M17BM3 Datenblatt Diskrete Halbleitermodule SiC, Module, 310A, 1700V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
HAS530M12BM3 HAS530M12BM3 Datenblatt Diskrete Halbleitermodule SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
HAS350M12BM3 HAS350M12BM3 Datenblatt Diskrete Halbleitermodule SiC, Module, 350A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
HAS175M12BM3 HAS175M12BM3 Datenblatt Diskrete Halbleitermodule SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
Veröffentlichungsdatum: 2024-07-12 | Aktualisiert: 2024-07-25