Zurück zu Wolfspeed

Wolfspeed 1.200 V E4MS Diskrete SiC-MOSFETs

1.200 V E4MS Diskrete Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs von Wolfspeed bieten eine unübertroffene Leistung in On-Board-Fahrzeuganwendungen. Die E4MS-Produktfamilie verwendet eine schnelle und weiche Body-Diode, die schnelles Schalten mit minimalem Überschwingen und Nachschwingen ermöglicht und so den nutzbaren Designraum für Ingenieure erweitert, um die Leistung in der Applikation abzustimmen und zu optimieren. Die E4MS-Produktfamilie bietet im Vergleich zur E3M-Produktfamilie verbesserte Eon-, ERR- und Eoff-Verluste bei gleichzeitig niedrigem RDS(on)-Temperaturkoeffizienten. Dieser ausgewogene Ansatz gewährleistet maximale Leistung und Effizienz über eine große Auswahl an On-Board-Topologien hinweg.

Zusätzlich zur verbesserten Schaltleistung bietet die E4MS-Produktfamilie von Wolfspeed eine transiente Überspannungsfestigkeit, eine erhöhte Lebensdauer bei erhöhten Busspannungen und eine breite Gate-Spannungskompatibilität, was eine vereinfachte Drop-in-Fähigkeit ermöglicht. Als Teil des Automotive-Portfolios verfügt die E4MS-Produktfamilie über dieAEC-Q101-Qualifizierung und ist PPAP-fähig.

Merkmale

  • Automotive-qualifiziert (AEC-Q101) und PPAP-fähig
  • Niedrige Eon- und ERR-Werte
  • Weiche Body-Diode mit geringem Überschwingen und Nachschwingen
  • Niedriger RDS(on)-Temperaturkoeffizient
  • Hohes Ciss/Crss-Verhältnis
  • Breiter Gate-Spannungskompatibilitätsbereich [-4 V bis 0 V/15 V bis 18 V]
  • Hohe Transientenspannungskompatibilität
  • Das U2-Gehäuse ist Pin-zu-Pin-kompatibel mit anderen oberseitengekühlten (TSC) Gehäusen
  • Ideal für hartgeschaltete Applikationen
  • Geringere Verluste ermöglichen höhere Effizienz bei Schaltfrequenz und Kühlungsanforderungen
  • Ermöglicht eine Preis-Leistungs-Optimierung auf Systemebene

Applikationen

  • OBC und DC/DC-Wandler
  • Brennstoffzellen-DC/DC-Wandler
  • Brennstoffzellen-Umrichter
  • On-Board-HVAC/Batterie-Wärmemanagement
  • Antriebsstrang-Umrichter
  • Hilfsstromversorgungen

Gehäuse

Tabelle - Wolfspeed 1.200 V E4MS Diskrete SiC-MOSFETs
View Results ( 12 ) Page
Teilnummer Datenblatt Verpackung/Gehäuse Rds On - Drain-Source-Widerstand Qg - Gate-Ladung Pd - Verlustleistung
E4MS025120J2-TR E4MS025120J2-TR Datenblatt TO-263-7XL 33 mOhms 125 nC 330 W
E4MS025120K E4MS025120K Datenblatt TO-247-4 33 mOhms 125 nC 281 W
E4MS025120U2-TR E4MS025120U2-TR Datenblatt TO-263-7XL 33 mOhms 125 nC 350 W
E4MS036120J2-TR E4MS036120J2-TR Datenblatt TO-263-7XL 47 mOhms 88 nC 262 W
E4MS036120K E4MS036120K Datenblatt TO-247-4 47 mOhms 88 nC 211 W
E4MS036120U2-TR E4MS036120U2-TR Datenblatt TO-263-7XL 47 mOhms 88 nC 274 W
E4MS047120J2-TR E4MS047120J2-TR Datenblatt TO-263-7 61 mOhms 68 nC 203 W
E4MS047120K E4MS047120K Datenblatt TO-247-4 61 mOhms 68 nC 186 W
E4MS047120U2-TR E4MS047120U2-TR Datenblatt TO-263-7 61 mOhms 68 nC 217 W
E4MS065120J2-TR E4MS065120J2-TR Datenblatt TO-263-7 85 mOhms 51 nC 163 W
Veröffentlichungsdatum: 2025-12-02 | Aktualisiert: 2025-12-19