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Wolfspeed TO-247-4 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Profil

Wolfspeed TO-247-4 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Profil verfügen über eine Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedrigen Kapazitäten und eine hohe Sperrspannung mit niedrigem On-Widerstand. Diese Leistungs-MOSFETs reduzieren Schaltverluste und Kühlanforderungen und minimieren das Gate-Schwingen. Die 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFETs enthalten eine schnelle intrinsische Diode mit niedriger Sperrverzögerung (Qrr). Diese Leistungs-MOSFETs erhöhen die Leistungsdichte und Systemschaltfrequenz. Die 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFETs sind in optimierten Gehäusen mit separaten Treiberquellen-Pins verfügbar und in einem TO-247-4-Gehäuse mit niedrigem Profil verfügbar. Diese Leistungs-MOSFETs sind halogenfrei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Motorsteuerung, EV-Akkuladegeräte, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Solar/ESS, USV und Unternehmens-PSU.

Merkmale

  • Hohe Sperrspannung mit niedrigem On-Widerstand
  • Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
  • Schnelle intrinsische Diode mit geringer Sperrverzögerung (Qrr)
  • Reduziert Schaltverluste und minimiert Gate-Überschwingen
  • Höherer Systemwirkungsgrad
  • Reduzierte Kühlanforderungen
  • Reduzierter Kühlflächenbedarf
  • Höhere Leistungsdichte
  • Erhöht die Schaltfrequenz des Systems
  • Optimiertes Gehäuse mit separatem Treiber-Source-Pin
  • TO-247-4 Gehäuse mit niedrigerem Profil
  • Halogenfrei
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Motorsteuerung
  • Akkuladegeräte
  • DC/DC-Hochspannungswandler
  • Solarenergie/Energiespeichersysteme
  • USV
  • Unternehmensnetzteil

Schaltplan

Schaltplan - Wolfspeed TO-247-4 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Profil

Datenblätter

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Teilnummer Datenblatt Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Qg - Gate-Ladung Pd - Verlustleistung Abfallzeit Anstiegszeit Regelabschaltverzögerungszeit Typische Einschaltverzögerungszeit Montageart
C3M0021120K1 C3M0021120K1 Datenblatt 100 A 35 mOhms 177 nC 405 W 13 ns 39 ns 54 ns 17 ns Through Hole
C3M0032120K1 C3M0032120K1 Datenblatt 69 A 55 mOhms 118 nC 278 W 8 ns 19 ns 24 ns 16 ns Through Hole
C3M0040120K1 C3M0040120K1 Datenblatt 66 A 70 mOhms 94 nC 242 W 8 ns 16 ns 23 ns 13 ns Through Hole
C3M0075120K1 C3M0075120K1 Datenblatt 32 A 135 mOhms 53 nC 145 W 11 ns 22 ns 29 ns 8 ns Through Hole
C3M0160120K1 C3M0160120K1 Datenblatt 17.9 A 280 mOhms 32 nC 103 W 12 ns 9 ns 13 ns 8 ns Through Hole
C3M0016120K1 C3M0016120K1 Datenblatt 115 A 29 mOhms 223 nC 556 W 13 ns 40 ns 62 ns 19 ns Through Hole
Veröffentlichungsdatum: 2024-06-20 | Aktualisiert: 2024-10-04