Vishay Semiconductors VS-VF Leistungs-MOSFETs aus Siliciumcarbid mit Einzelschalter
Vishay Halbleiter VS-VF Leistungs-MOSFETs aus Siliciumcarbid mit Einzelschalter sind hochleistungsfähige Siliciumcarbid-(SiC)-MOSFETs. Die hohe Sperrspannung, der niedrige Durchlasswiderstand, die hohe Schaltgeschwindigkeit und die geringe Kapazität machen diese MOSFETs von Vishay Semiconductor ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen, einschließlich Solarwechselrichter und EV-Ladegeräte.
Merkmale
- Hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
- Weichkörperdiode mit geringer Sperrverzögerung
- Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
- UL-zugelassen, Datei E78996
Applikationen
- Ladegeräte für Elektrofahrzeuge
- Server und Telekommunikations-Netzteile
- UPS
- Solar-Wechselrichter
- SMPS
- DC/DC Wandler
Schaltungskonfigurationen
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| Teilnummer | Datenblatt | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Pd - Verlustleistung | Vgs - Gate-Source-Spannung |
|---|---|---|---|---|---|
| VS-SF100SA120 |  |
98 A | 32.6 mOhms | 468 W | - 8 V, 19 V |
| VS-SF150SA120 | |
126 A | 16.8 mOhms | 535 W | - 8 V, 19 V |
| VS-SF200SA120 | |
127 A | 12.1 mOhms | 750 W | - 8 V, 15 V |
| VS-SF50LA120 | |
38 A | 43 mOhms | 136 W | - 4 V, 15 V |
| VS-SF50SA120 | |
49 A | 47 mOhms | 238 W | - 4 V, 15 V |
Veröffentlichungsdatum: 2026-02-18
| Aktualisiert: 2026-02-26