Vishay Semiconductors VS-SCx0BA120 SiC-Einphasen-Brückendioden
Vishay Semiconductors VS-SCx0BA120 Siliziumkarbid (SiC) -Einphasen-Brücken-Schottky-Dioden sind robuste 1.200 V-Bauelemente für eine effiziente Leistungsumwandlung in verschiedenen Applikationen. Mit der SiC-Technologie bieten diese Dioden eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und Hochspannungsfähigkeiten. Diese Breitbandlücken-Schottky-Dioden bieten hartes Hochgeschwindigkeits-Schalten und einen effizienten Betrieb über einen großen Temperaturbereich (-40°C bis +175°°C). Zu den typischen Applikationen gehören AC/DC-PFC und DC/DC-Ausgangsgleichrichtung mit extrem hoher Frequenz in FBPS- und LLC-Wandlern. Die Vishay Semiconductors VS-SCx0BA120 Siliziumkarbid (SiC) -Einphasen-Brücken-Schottky-Dioden werden für alle Anwendungen empfohlen, die unter einem ultraschnellen Freilaufverhalten leiden.
Merkmale
- Praktisch kein Recovery-Ende und keine Schaltverluste
- Mehrheitsträgerdiode mit Schottky-Technologie auf SiC-Breitbandlückenmaterial
- Verbesserte VF und Wirkungsgrad durch Dünnwafer-Technologie
- Hochgeschwindigkeitsschaltung, geringe Schaltverluste
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfache Parallelschaltung
- Elektrisch isolierte Grundplatte
- Große Kriechstrecke zwischen Anschlüssen
- Vereinfachte mechanische Designs, schnelle Montage
- Für die Industrie ausgelegt und qualifiziert
- UL-zugelassen, Datei E78996
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Server
- Solar-Wechselrichter
- Telekommunikation
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
Technische Daten
- 1.200 V Mindest-Kathode-zu-Anode-Durchschlagspannung
- Typischer Durchlassspannungsbereich: 1,5 V bis 2,48 V
- Typischer Sperrstrombereich: 1,3 μA bis 10,0 μA
- Sperrschichtkapazitätsoptionen: 136 pF oder 206 pF
- Maximale DC-Ausgangsstromoptionen: 50 A oder 90 A
- 276 A bis 524 A maximaler Spitzenstrom, nicht-periodischer Ein-Zyklus-Durchlassstrombereich
- 0,81 V 0,88 V oder 0,88 V bis 1,01 V Schwellenspannungsbereichsoptionen pro Kontakt
- 22,62 mΩ bis 22,71 mΩ oder 31,16 mΩ bis 31,49 mΩ Durchlass-Neigungswiderstandswerte
- Sperrschichttemperaturbereich: -40 °C bis +175 °C
- SOT-227 Gehäusestil
Datenblätter
- VS-SC50BA120 SOT-227 Siliziumkarbid-Einphasen-Brücke, 50 A
- VS-SC90BA120 SOT-227 Siliziumkarbid-Einphasen-Brücke, 90 A
Veröffentlichungsdatum: 2024-10-31
| Aktualisiert: 2024-11-12