Vishay / Siliconix Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12
Superjunction-MOSFETs von Vishay/Siliconix im PowerPAK® -10 x 12-Gehäuse verfügen über Leistungstechnologie. Diese Leistungs-MOSFETs optimieren den Leistungswirkungsgrad, während der RDS(on) den Leistungsverlust während der Leitung reduziert und einen effizienten Betrieb gewährleistet. Diese Komponenten sind 100 % Rg- und UIS-getestet. Superjunction-MOSFETs von Vishay / Siliconix verbessern die Verlustleistung und verringern den thermischen Widerstand (RthJC). Zu den typischen Applikationen gehören Synchrongleichrichtung, Automatisierung und Netzteile.
Merkmale
- Hervorragende Wärmekapazität
- E-Baureihen-Technologie der neuesten Generation
- NiedrigeRon x Qg-Gütezahl (FOM)
- Niedrige Effektivleistung (Co(er))
- Erhöht den Systemwirkungsgrad
Applikationen
- Netzteile
- Rechenzentren
- Telekommunikation
- Gaming-PCs
- Solar-/PV-Wechselrichter
- Automatisierung
Technische Daten
- Design mit niedrigem Profil: 9,9 mm x 11,7 mm x 2,3 mm
- TO-Leadless-Gehäuse
- Integrierter Kelvin-Quellenanschluss
Infografiken
Weitere Ressourcen
Empfohlene MOSFETs
Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV MOSFETs
Branchenführend niedriger ON-Widerstand bis zu 1,35 mΩ bei 4,5 V.
Vishay / Siliconix TrenchFET®-Gen-V-Leistungs-MOSFETs mit VDS
Erhöht den Wirkungsgrad der Leistungsumwandlung mit einer sehr niedrigen RDS x Qg -Gütezahl (FOM).
Vishay / Siliconix SiJK140E 40-V-n-Kanal-(D-S)-MOSFET
Verfügt über die TrenchFET® Gen-V-Leistungstechnologie, die sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung und Automatisierung eignet.
Veröffentlichungsdatum: 2025-05-09
| Aktualisiert: 2025-05-22