Vishay / Siliconix SiSS52DN und SiSS54DN n-Kanal-TrenchFET®-Gen-V-MOSFETs
Der Vishay/Siliconix SiSS52DN und SiSS54DN n-Kanal-TrenchFET-Gen-V-Leistungs-MOSFET ermöglicht eine höhere Leistungsdichte mit sehr niedrigem RDS (on). Dieser Leistungs-MOSFET bietet 30 V VDS und eine sehr niedrige RDS x Qg -Gütezahl (FOM). Der SiSS52DN n-Kanal-MOSFET verfügt typischerweise über 162 A ID und 19.9nC QG. Während der SiSS54DN n-Kanal-MOSFET typischerweise über 185,6 A ID und 21 nC Qg verfügt.Dieser 100 % Rg — und UIS-getestete (Unclamped Inductive Switching, UIS) MOSFET wird in einem thermisch verbesserten kompakten PowerPAK® 1212-8S -Gehäuse mit einer Einzelkonfiguration geliefert. Zu den typischen Anwendungsfällen gehören DC/DC-Wandler, Punktlast (POLs), Synchrongleichrichtung, Leistungs- und Lastschalter und Batteriemanagement.
Merkmale
- TrenchFET® -Gen-V-Leistungs-MOSFET
- Sehr niedriger RDS x QG Gütefaktor (FOM)
- Ermöglicht eine höhere Leistungsdichte mit sehr niedrigem RDS (on)
- Thermisch optimiertes kompaktes PowerPAK® 1212-8S-Gehäuse mit einer Einzelkonfiguration
- 100 % Rg — und UIS-getestet
Applikationen
- DC/DC-Wandler
- Punktlasten (POLs)
- Synchrongleichrichtung
- Batteriemanagement
- Leistungs- und Lastschalter
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Gehäuseausführung
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung |
|---|---|---|
| SIJH5100E-T1-GE3 |  |
MOSFETs PWRPK 100V N-CH MOSFET |
| SIR5607DP-T1-RE3 | |
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
| SISS54DN-T1-GE3 | |
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 51.1A |
| SISS52DN-T1-GE3 | |
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 47.1A |
Veröffentlichungsdatum: 2020-10-06
| Aktualisiert: 2024-12-12