Vishay / Siliconix SiJK5100E n-Kanal-MOSFET
Der n-Kanal-MOSFET SiJK5100E von Vishay/Siliconix ist ein TrenchFET® -Gen-V-Leistungs-MOSFET mit 100 V Drain-Source-Spannung. Dieser MOSFET verfügt über eine maximale Verlustleistung von 536 W bei +25 °C, einen kontinuierlichen Source-Drain-Diodenstrom von +25 °C 487 A und eine Einzelkonfiguration. Der SiJK5100E ist UIS-getestet, blei- und halogenfrei. Der N-Kanal-MOSFET SiJK5100E von Vishay/Siliconix arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Zu den typischen Applikationen gehören Synchrongleichrichtung, Automatisierung, Netzteile, Motorantriebssteuerung und Batteriemanagement.
Merkmale
- TrenchFET Gen-V-Leistungs-MOSFET
- FührenderRDS(on) reduziert die Verlustleistung durch Leitung
- Verbesserte Verlustleistung und niedrigereRthJC
- 100 % Rg- und UIS-getestet
- Standard-Level-FET
- Einzelkonfiguration
- Erhältlich in PowerPAK® -10 x 12-Gehäuse
- Blei- und halogenfrei
Technische Daten
- 100 V Drain-Source-Spannung
- 536 W Maximale Verlustleistung bei +25 °C
- 487 A Gleichstrom-Source-Drain-Dioden bei +25 °C
- ±20 V Gate-Source-Spannung
- 700 A gepulster Drainstrom (t = 100 μs)
- -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
Applikationen
- Synchrongleichrichtung
- Automatisierung
- Stromversorgung
- Motorantriebssteuerung
- Batteriemanagement
Infografik
Ausgangseigenschaften
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2024-10-29
| Aktualisiert: 2025-02-07