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Vishay Siliconix SiA936EDJ Dual-N-Kanal-MOSFETDer Vishay Siliconix SiA936EDJ Dual-N-Kanal-MOSFET wurde entworfen, um Platz zu sparen und die Energieeffizienz in tragbaren Elektronikgeräten zu erhöhen, und zwar mit dem branchenweit niedrigsten On-Widerstand für 20V (12V VGS und 8V VGS) Geräte bei 4,5V und 2,5V Gate-Treibern in der 2mm x 2mm Grundfläche. Der SiA936EDJ ist für Last- und Ladeschalter, für DC/DC-Wandler und H-Brücken optimiert sowie Batterieschutz für die Energieverwaltung in Smartphones, Tablet-PCs, mobilen Geräten, nicht-implantierbaren tragbaren Gesundheitsprodukten und Handheld-Unterhaltungselektronik mit kleinen bürstenlosen DC-optimierten Motoren. Für diese Anwendungen bietet der SiA936EDJ einen extrem niedrigen On-Widerstand von 34mΩ (4,5V), 37mΩ (3,7V), und 45mΩ (2,5V), sowie integrierten ESD-Schutz von 2000V. Sein On-Widerstand bei 2,5V ist 11,7% niedriger als das beste 8V VGS Gerät im Wettbewerb — gleichzeitig bietet er höheres (G-S) Schutzband — und ist 15,1% niedriger als das entsprechende 12V VGS Gerät im Wettbewerb. Der niedrigste On-Widerstand der Branche erlaubt es Designern geringere Spannungsabfälle in den Schaltkreisen zu erzielen sowie eine effizientere Nutzung der Energie und längere Akkulaufzeiten zu fördern. Durch die Integration von zwei MOSFETs in einem kompakten Gehäuse, vereinfacht das duale SiA936EDJ das Design, senkt die Gesamtbauteilanzahl und spart wichtige Leiterplattenfläche. Vishay Siliconix SiA936EDJ Dual-N-Kanal-MOSFET ist 100% Rg geprüft, halogenfrei gemäß der JEDEC JS709A Definition und der RoHS-Richtlinie 2011/65/EU. |
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Merkmale
Anwendungen
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