Vishay Semiconductors SiA427DJ 8V TrenchFET Leistungs-MOSFETs
Vishay Siliconix SiA427DJ 8V TrenchFET® Leistungs-MOSFETs haben den niedrigsten On-Widerstand für ein p-Kanal-Gerät in einem thermisch erweiterten PowerPAK® SC-70 mit 2mm mal 2mm Auflagefläche. Der On-Widerstand des Vishay Siliconix Si427DJ ist bis zu 47% niedriger als bei den konkurrenzfähigsten p-Kanal-Geräten. Das 1,2V niedrige On-Widerstand-Rate der SiA427DJ TrenchFET Leistungs-MOSFETs macht sie zur idealen Wahl für niedrige Bus-Spannungen. Anwendungen, die einen 1,2V Leistungs-Bus verwenden, profitieren ebenfalls vom niedrigen On-Widerstand der MOSFETs bei 1,5V und 1,8V, wenn Hauptspannungen schwanken und ermöglichen dem SiA427DJ die insgesamt beste Stromeinsparung zu liefern. Das extrem kleine PowerPAK SC-70-Gehäuse des Vishay Siliconix SiA427DJ wurde für kleine elektronische Handgeräte optimiert. Es ist ideal für Lastschalter in Mobiltelefone, Smartphones, MP3-Playern, Digitalkameras usw.
Applications using a 1.2V power bus will also benefit from the MOSFET's low on-resistance at 1.5V and 1.8V as power line fluctuate, allowing the SiA427DJ to provide the best overall power savings. The ultra-small PowerPAK SC-70 package of the Vishay Semiconductors SiA427DJ is optimized for small handheld electronics. It is ideal for load switches in cell phones, smart phones, MP3 players, digital cameras, and more.
Merkmale
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- TrenchFET® Power MOSFET
- 100% Rg Tested
- Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
- Small footprint area
- Low on-resistance
- 16mΩ at 4.5V
- 26mΩ at 1.8V
- 32mΩ at 1.5V
- 95mΩ at 1.2V
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
Applikationen
- Load switch, for 1.2 V power line for portable and handheld devices
Associated Products
Vishay / Siliconix Vishay Siliconix Power MOSFETs
Low-to-high Leistung für Applikationen in Wachstumsmärkten.
Package Dimensions
Veröffentlichungsdatum: 2011-08-18
| Aktualisiert: 2022-03-11