Vishay MGDT Miniaturisierte Gate-Treiber-Planar-Transformer
Die MGDT miniaturisierten Planar-Transformer von Vishay sind in Anschlüssen zur Oberflächen- oder Durchsteckmontage verfügbar. Sie benötigen 40 % weniger Boardfläche und bieten ein um 33 % niedrigeres Profil als herkömmliche Spulen- und Ringwickel-Technologien. Sie liefern sowohl MOSFET- als auch IGBT-Gate-Leistung und Timing-Signale gleichzeitig. Diese Transformer steuern MOSFETs/IGBTs auf Bussen bis zu 1.200 V an und zeichnen sich durch eine hervorragende Anlaufzeit sowie Überschwing- und Spitzenstromfähigkeiten aus. Die MGDT Transformer sind in einem Planargehäuse mit niedrigem Profil für einen Multiband-Betrieb verfügbar. Diese Transformer bieten vom Treiber bis zu den Gates eine Luft- und Kriechstrecke von mindestens 8 mm. Sie können hohen Überspannungen standhalten. Die LM- und SM-Versionen dieser MGDT Transformer sind RoHS-konform. Die MGDT Transformer verfügen über Anschlüsse zur Durchsteck- und Oberflächenmontage. Diese Audio- und Signal-Transformer arbeiten in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 125 °C und können bei -55 °C bis 130 °C gelagert werden.Merkmale
- Liefern MOSFET-/IGBT-Gate-Leistung- und Timing-Signale gleichzeitig
- Direkte Ansteuerung von High-Side-MOSFETs/IGBTs auf Bussen bis zu 1.200 V
- Hervorragende Anlaufzeit, Überschwing- und Spitzenstromfähigkeiten
- Mindestens 8 mm Luft- und Kriechstrecke vom Treiber zu den Gates
- Planar-Gehäuse mit niedrigem Profil
- Sowohl LF- als auch SM-Versionen sind RoHS-konform
Technische Daten
- Betriebsfrequenzbereich von 100 kHz bis 500 kHz
- Fortlaufender Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 125 °C
- Spannungsfestigkeit
- 3.750 VAC Treiber-zu-Gate-Spannung
- 2.500 VAC Gate-zu-Gate-Spannung
Weitere Ressourcen
MGDT Miniaturisierte Gate-Treiber-Planar-Transformer - Infografik
MGDT-Baureihe - Mechanische Zeichnung
Veröffentlichungsdatum: 2018-03-20
| Aktualisiert: 2023-09-05
