Toshiba 300 mA TCR3DM/TCR3EM-LDO-Regler mit festem Ausgang
Die 300 mA TCR3DM/TCR3EM-LDO-Regler mit festem Ausgang von Toshiba sind CMOS-Universal-Spannungsregler mit Einfachausgang und einem Ein-/Aus-Steuereingang, die eine niedrige Dropout-Spannung und ein schnelles Last-Einschwingverhalten bieten. Die Regler eignen sich hervorragend für tragbare Applikationen, die eine hochdichte Platinenmontage erfordern, wie z. B. Mobiltelefone.
Die TCR3DMxxA-Baureihe von Toshiba verfügt über eine niedrige Dropout-Spannung, eine niedrige Ausgangsrauschspannung, ein schnelles Last-Einschwingverhalten und einen niedrigen Einschaltstrom. Die Spannungsregler werden in festen Ausgangsspannungen zwischen 1,0 V und 4,5 V angeboten und können bis zu 300 mA ansteuern. Zusätzliche Funktionen umfassen Überstromschutz, thermische Abschaltung, Einschaltstromschutzschaltung und automatische Entladung.
Die TCR3DMxxA-Serie ist in einem extrem kleinen DFN4D-Kunststoffgehäuse (1,0 mm x 1,0 mm; T 0,37 mm (typ.)) erhältlich und verfügt über eine niedrige Dropout-Spannung von 216 mV (2,5 V Ausgang, IOUT = 300 mA) mit niedriger Ausgangsrauschspannung von 38 μVrms (2,5 V Ausgang). Kleine keramische Eingangs- und Ausgangskondensatoren von 1,0 μF können mit der TCR3DMxxA-Baureihe verwendet werden.
Die TCR3EM-Baureihe von Toshiba bietet eine niedrige Dropout-Spannung und ein schnelles Last-Einschwingverhalten. Diese Spannungsregler bieten einen festen Ausgangsspannungsbereich von 0,8 V und 5,0 V und können bis zu 300 mA ansteuern. Darüber hinaus verfügt der TCR3EM über einen Überstromschutz, eine thermische Abschaltung und eine automatische Entladung. Die TCR3EM-Serie wird in einem extrem kleinen DFN4D-Kunststoffgehäuse (1,0 mm x 1,0 mm; T 0,37 mm (typ.)) angeboten und verfügt über eine niedrige Dropout-Spannung von 160 mV (2,5 V Ausgang, IOUT = 150 mA). Kleine keramische Eingangs- und Ausgangskondensatoren von 1,0 µF können mit der TCR3EM-Baureihe verwendet werden.
Merkmale
- TCR3DMxxA Baureihe
- Extrem kleines DFN4D-Gehäuse (1,0 mm x 1,0 mm; 0,37 mm (typ.))
- Großer Ausgangsspannungsbereich (VOUT = 1,0 V bis 4,5 V)
- Niedrige Dropout-Spannung
- VDO = 175 mV (typ.) bei 3,3 V Ausgang, IOUT = 300 mA
- VDO = 216 mV (typ.) bei 2,5 V Ausgang, IOUT = 300 mA
- VDO = 297 mV (typ.) bei 1,8 V Ausgang, IOUT = 300 mA
- Niedrige Ausgangsrauschspannung (VNO = 38 μVrms (typ.) bei 10 Hz ≤ F ≤ 100 kHz)
- Hohes Welligkeitsunterdrückungsverhältnis (72 dB (typ.) bei 2,5 V Ausgang, IOUT = 10 mA, F = 1 kHz)
- Schnelles Last-Einschwingverhalten (±80 mV (typ.) bei 2,5 V-Ausgang, IOUT = 1 mA ⇔ 300 mA)
- Überstromschutz
- Übertemperaturschutz
- Einschaltstromschutzschaltung
- Automatische Entladung
- Pulldown-Verbindung zwischen STEUERUNG und GND
- Keramikkondensatoren verwendbar (CIN = 1,0 μF, COUT = 1,0 μF)
- TCR3EM Baureihe
- Extrem kleines DFN4D-Gehäuse (1,0 mm x 1,0 mm; 0,37 mm (typ.))
- Großer Ausgangsspannungsbereich (VOUT = 0,8 V bis 5,0 V)
- Großer Eingangsspannungsbereich (VIN = 1,3 V bis 5,5 V)
- Niedrige Steuerspannung (hoch) (VCTH = 0,8 V (min.))
- Niedrige Dropout-Spannung von VDO = 160 mV (typ.) bei 2,5 V-Ausgang, IOUT = 150 mA
- Hohes Welligkeitsunterdrückungsverhältnis (68 dB (typ.) bei 2,5 V Ausgang, IOUT = 10 mA, F = 1 kHz)
- Schnelles Last-Einschwingverhalten (-57 mV / +55 mV (typ.) bei 2,5 V-Ausgang, IOUT = 1 mA ⇔ 150 mA)
- Überstromschutz
- Thermische Abschaltung
- Automatische Entladung
- Einschaltstrom-Schutzschaltung
- Pulldown-Verbindung zwischen STEUERUNG und GND
- Keramikkondensatoren verwendbar (CIN = 1,0 μF, COUT = 1,0 μF)
Datenblätter
Blockdiagramm
