Texas Instruments CSD95485RWJ NexFET™-Leistungsstufe
Die Texas Instruments CSD95485RWJ NexFET™ -Leistungsstufe hat ein hochoptimiertes Design für den Einsatz in hochleistungsfähigen, hochdichten synchronen Buck-Wandlern. Das Bauelement kombiniert den Treiber-IC und die Leistungs-MOSFETs, um die Schaltfunktion der Leistungsstufe zu vervollständigen. Diese Kombination ermöglicht eine hohe Stromtragfähigkeit, hohe Effizienz und schnelle Schaltgeschwindigkeit in einem kompakten 5 mm × 6 mm Gehäuse. Zusätzlich integriert der CSD95485RWJ von Texas Instruments genaue Strom- und Temperatursensorfunktionen, um das Systemdesign zu vereinfachen und die Genauigkeit zu steigern. Das PCB-Layout wurde angepasst, um die Designzeit zu verkürzen und die Fertigstellung des gesamten Systemdesigns zu vereinfachen.
Merkmale
- 75 A kontinuierliche Betriebsstrombelastbarkeit
- Systemwirkungsgrad: über 95 % bei 30 A
- Hochfrequenzbetrieb (bis zu 1,25 MHz)
- Dioden-Emulationsfunktion
- Temperaturkompensierte bidirektionale Strommessung
- Analoger Temperaturausgang
- Fehlerüberwachung
- 3,3 V und 5 V PWM-Signal-kompatibel
- Tri-State-PWM-Eingang
- Integrierter Bootstrap-Schalter
- Optimierte Totzeit für Durchzündungsschutz
- QFN mit hoher Dichte von 5 mm × 6 mm
- Gehäuse mit sehr niedriger Induktivität
- System-optimierter PCB-Footprint
- Thermisch verbesserte Oberseitenkühlung
- RoHS-konform mit bleifreier Anschlussbeschichtung
- Halogenfrei
Applikationen
- Synchrone Mehrphasen-Abwärtswandler
- Hochfrequenzapplikationen
- Hochstrom-Applikationen mit niedrigem Tastverhältnis
- POL-DC/DC-Wandler
- Speicher- und Grafikkarten
- Desktop und Server VR12.x/VR13.x V-Core synchrone Abwärtswandler
Anwendungsdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2020-05-19
| Aktualisiert: 2025-04-17