EPCOS / TDK AEC-Q200-qualifizierte Induktivitäten
EPCOS TDK AEC-Q200-qualifizierte Induktivitäten sind mit Keramik/Ferrit- und Ferrit-Trommelkernen mit flammenbeständiger Formgebung und einer Spritzguss-Basis ausgestattet. Diese Induktivitäten-Baureihe verfügt über mehrere Methoden zur Anschlusswicklung sowie über verschiedene Nennströme und Induktivitätswerte. Aufgrund ihres Widerstands bei hohen Temperaturen, Feuchtigkeit und Thermoschock eignen sich diese Induktivitäten für vielfältige Applikations-Designs wie etwa Automotive-Elektroniksysteme, Telekommunkation und Industrieelektronik.
Baureihe - Optionen
B82422A SIMID 1210-100 SMT-Induktivitäten zeichnen sich durch lasergeschweißte Wicklung, flammhemmende Formgebung, eine hohe Resonanzfrequenz und eine Nenninduktivität von 0,0082 μH bis 100 μH aus. Datenblatt
B82422H SIMID 1210-H SMT-Induktivitäten bieten einen Ferrit-Trommelkern, eine lasergeschweißte Wicklung, flammhemmendes Formgebung, eine sehr hohe Stromstärke und einen Nenninduktivitätsbereich von 1 μH bis 680 μH. Datenblatt
B82422T SIMID 1210-T SMT-Induktivitäten zeichnen sich durch lasergeschweißte Wicklung, flammhemmende Formgebung, eine hohe Resonanzfrequenz, einen hohen Q-Faktor, einen hohen L-Wert und eine Nenninduktivität von 0,010 μH bis 100 μH aus. Datenblatt
B82432C SIMID 1812-C SMT-Induktivitäten bieten einen aufrechten Ferrit-Trommelkern, lasergeschweißte Wicklung, flammhemmende Formgebung, einen hohen Q-Faktor und einen Nenninduktivitätsbereich von 1 μH bis 1000 μH. Datenblatt
B82432T SIMID 1812-T SMT-Induktivitäten verfügen über eine aufrechte Ferritkerntrommel, lasergeschweißte Wicklung, flammhemmende Formgebung, hohe Stromverarbeitungsfähigkeit und einen Nenninduktivitätsbereich von 1 μH bis 1000 μH. Datenblatt
B82442A SIMID 2220-A SMT-Induktivitäten bieten eine lasergeschweißte Wicklung, flammhemmende Formgebung, einen aufrechten Ferrit-Trommelkern, Stromverarbeitung von bis zu 1,8 A und einen Nenninduktivitätsbereich von 1 μH bis 10000 μH. Datenblatt
B82442H SIMID 2220-H SMT-Induktivitäten bieten einen Nenninduktivitätsbereich von 1 μH bis 10000 μH, eine lasergeschweißte Wicklung, eine flammhemmende Formgebung, einen aufrechten Ferrit-Trommelkern und Stromverarbeitung bis zu 2,5 A und hohe L-Werte. Datenblatt
B82442T SIMID 0805-F SMT-Induktivitäten verfügen über einen Ferrit-Trommelkern mit lasergeschweißter Wicklung, flammhemmende Formgebung, sehr hohe Stromflussfähigkeit, hohe L-Werte und einem Nenninduktivitätsbereich von 1 μH bis 10000 μH. Datenblatt
B82462A4 SMT-Leistungsinduktivitäten bieten eine 6,0 mm x 6,0 mm x 3,0 mm große Komponente mit einem Ferritkern und einer an die Anschlüsse geschweißten Kupferdrahtwicklung. Die Induktivitäten liefern einen hohen Nennstrom von 0,11 A bis 3 A, einen Nenninduktivitätsbereich von 1 μH bis 1000 μH und einen niedrigen DC-Widerstand. Datenblatt
B82462G4 SMT-Leistungsinduktivitäten verfügen über einen magnetisch abgeschirmten Ferritkern mit einer Kupferlackdrahtwicklung, die an die Anschlüsse geschweißt ist. Die 6,3 mm x 6,3 mm x 3,0 mm kleinen Komponenten bieten einen hohen Nennstrombereich von 0,16 A bis 3,45 A, einen niedrigen DC-Widerstand und einen Nenninduktivitätsbereich von 0,82 μH bis 1000 μH. Datenblatt
B82464A4 SMT-Leistungsinduktivitäten bieten einen Nenninduktivitätsbereich von 1 μH bis 1000 μH, einen Nennstrombereich von 0,33 A bis 7 A und einen niedrigen DC-Widerstand. Die 10,4 mm x 10,4 mm x 4,8 mm kleinen Bauelemente bestehen aus einem Ferritkern mit einer Kupferlackdrahtwicklung, die an die Anschlüsse geschweißt ist. Datenblatt
B82464G4 SMT-Leistungsinduktivitäten verfügen über einen magnetisch abgeschirmten Ferritkern mit einer Kupferlackdrahtwicklung, die an die Anschlüsse geschweißt ist. Die Induktivitäten B82464G4 zeichnen sich durch einen hohen Nennstrombereich von 0,34 A bis 7,6 A, einen Nenninduktivitätsbereich von 0,82 μH bis 1000 μH und einen geringen DC-Widerstand in einem 10,4 mm x 10,4 mm x 4,8 mm kleinen Gehäuse aus. Datenblatt
B82464P4 SMT-Leistungsinduktivitäten verfügen über einen magnetisch abgeschirmten Ferritkern mit einer Kupferlackdrahtwicklung, die an die Anschlüsse geschweißt ist.Die Induktivitäten in einem 10,4 mm x 10,4 mm x 4,8 mm kleinen Gehäuse bieten einen hohen Nennstrombereich von 0,34 A bis 7,5 A, einen Nenninduktivitätsbereich von 0,82 μH bis 1000 μH und einen niedrigen DC-Widerstand. Datenblatt
B82472P6 SMT-Leistungsinduktivitäten bieten einen Nenninduktivitätsbereich von 1 μH bis 1000 μH, einen hohen Nennstrombereich von 0,2 A bis 3,6 A, einen niedrigen DC-Widerstand und eine hohe mechanische Stabilität in einem 7,3 mm x 7,3 mm x 4,5 mm kleinen Gehäuse. Die Konstruktion besteht aus einem magnetisch abgeschirmten Ferritkern mit einer Kupferlackdrahtwicklung, die an die Anschlüsse geschweißt ist. Datenblatt
B82473M1 SMT-Leistungsinduktivitäten verfügen über eine Konstruktion, die aus einem magnetisch abgeschirmten Ferritkern besteht, an dessen Enden eine Kupferlackdrahtwicklung und eine spritzgegossene Basis geschweißt sind. Die Induktivitäten von 8,3 mm x 7,5 mm x 5,5 mm bieten einen niedrigen DC-Widerstand, eine hohe mechanische Stabilität, einen Nennstrombereich von 0,34 A bis 2,3 A und eine Nenninduktivität von 10 μH bis 470 μH. Datenblatt
B82475M1 SMT-Leistungsinduktivitäten verfügen über eine 10,4 mm x 10,0 mm x 5,8 mm kleine Konstruktion, die aus einem magnetisch abgeschirmten Ferritkern besteht, an dessen Enden eine Kupferlackdrahtwicklung und eine spritzgegossene Basis geschweißt sind. Die Induktivitäten bieten einen Nenninduktivitätsbereich von 10 μH bis 680 μH, einen Nennstrombereich von 0,28 A bis 2,6 A, eine hohe mechanische Stabilität und einen geringen DC-Widerstand. Datenblatt
B82476B1 SMT-Leistungsinduktivitäten zeichnen sich durch einen Nenninduktivitätsbereich von 1 μH bis 1000 μH, einen hohen Nennstrom, einen niedrigen DC-Widerstand und eine Ferritkernkonstruktion mit einer an die Anschlüsse geschweißten Kupferlackdrahtwicklung aus. Die 12,95 mm × 9,40 mm × 5,08 mm kleine Komponente ist eine robust konstruierte Induktivität mit einem Kunststoff-Anschlussträger. Datenblatt
B82477D4 SMT-Leistungsinduktivitäten verfügen über einen magnetisch abgeschirmten Ferritkern mit einer Kupferlackdrahtwicklung, die an die Anschlüsse geschweißt ist. Die Induktivitäten B82477D4 verfügen über eine spezielle Wicklungstechnologie für eine geringe Streuinduktivität und einen hohen Kopplungsfaktor. Weitere Funktionen umfassen einen hohen Nennstrom, einen niedrigen DC-Widerstand und eine Nenninduktivität von 2 μH bis 100 μH. Datenblatt
B82477P2 SMT-Leistungsinduktivitäten verfügen über eine Konstruktion, die aus einem magnetisch abgeschirmten Ferritkern besteht, an dessen Enden eine Kupferlackdrahtwicklung und eine spritzgegossene Basis geschweißt sind. Zu den weiteren Merkmalen gehören eine hohe mechanische Stabilität, ein Nennstrombereich von 0,53 A bis 9,25 A, ein niedriger DC-Widerstand und eine Nenninduktivität von 1 μH bis 1000 μH. Datenblatt
B82477P4 SMT-Leistungsinduktivitäten verfügen über eine Konstruktion, die aus einem magnetisch abgeschirmten Ferritkern besteht, an dessen Enden eine Kupferlackdrahtwicklung und eine spritzgegossene Basis geschweißt sind. Die Komponenten zeichnen sich durch einen niedrigen DC-Widerstand, einen Nennstrombereich von 0,6 A bis 11 A, eine hohe mechanische Stabilität und einen Nenninduktivitätsbereich von 0,82 μH bis 1000 μH aus. Datenblatt
B82477R4 SMT-Leistungsinduktivitäten sind 12,5 mm x 12,5 mm x 8,5 mm klein mit einem Nenninduktivitätsbereich von 0,82 μH bis 1000 μH, hoher mechanischer Stabilität und einem hohen Nennstrom.Die Konstruktion besteht aus einem magnetisch abgeschirmten Ferritkern mit einer Kupferlackdrahtwicklung, die an die Anschlüsse gelötet ist, und einer spritzgegossenen Basis. Datenblatt
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