STMicroelectronics L99MH98 Oktaler Halbbrücken-Vortreiber für Fahrzeuge
Der oktale Halbbrücken-Vortreiber L99MH98 für Fahrzeuge von STMicroelectronics steuert bis zu 16 n-Kanal-MOSFETs und ist für DC-Motorsteuerungsapplikationen wie z. B. Sitzsteuerungen in Fahrzeugen ausgelegt. Der L99MH98 von STMicroelectronics wird in einem VFQFPN48L-Gehäuse mit einem freiliegenden Pad gehostet. Darüber hinaus verfügt dieses Gehäuse über benetzbare Flanken für eine einfache Sichtprüfung der Lötstelle. Eine serielle 24-Bit-Peripherieschnittstelle (SPI) konfiguriert und steuert acht Halbbrücken oder vier H-Brücken. Die SPI-Statusregister bieten hochgradige Diagnoseinformationen, wie z. B. Versorgungsspannungsüberwachung, Ladungspumpen-Spannungsüberwachung, Temperaturwarnung und Übertemperaturabschaltung. Jeder Gate-Treiber überwacht unabhängig die Drain-Source-Spannung des externen MOSFETs auf Fehlerbedingungen.
Der L99MH98 von STMicroelectronics unterstützt eine indirekte Strommessung auf externen MOSFETs und ermöglicht Kosteneinsparungen und eine geringere Systemkomplexität, wodurch die Verwendung von Nebenwiderständen vermieden wird. Eine Gate-Stromsteuerung mit höherem Wirkungsgrad der externen MOSFETs, die als „Dreiphasen-Gate-Strom“ bezeichnet wird, reduziert und optimiert elektromagnetische Störungen (EMI). Schutzfunktionen (Drain-Source-Überwachung für die Kurzschlusserkennung, Übertemperaturwarnung/-abschaltung, Timeout-Watchdog für die MCU-Steuerung und detaillierte Off-State-Diagnosefunktionen über SPI) gewährleisten die ASIL-B-Leistung gemäß ISO 26262-Standard.
Merkmale
- AEC-Q100-qualifiziert
- ISO26262-konform, deckt ASIL-B-Sicherheitsintegritätsstufe ab
- Oktale Halbbrücken- oder Quad-H-Brücke, Vortreiber
- Unabhängiger Kanaltreiber, bis zu 8x High-Side oder 8x Low-Side
- Die Treiberlogik ermöglicht jede H-Brücken-Konfiguration – Kopplung verschiedener Halbbrücken mit den internen Gate-Treibern (GHx/SHx/GLx kann mit jedem Gy/SHy/GLy verbunden werden)
- Unterstützt Logikpegel- und Standard-Level-MOSFETs
- Steuerung des Batterie-Verpolungsschutz-MOSFETs
- Vollständig konfigurierbarer Halbbrückentreiber im Fehlerfall
- Generatormodus für Strom-Kofferraum-/Heckklappen-Applikationen
- Unterstützt die indirekte Strommessung von externen MOSFETs
- SPI-konfigurierbarer Überspannungsschwellwert
- Adaptive MOSFET-Gate-Steuerung
- Dreistufige Gate-Steuerung von externem HS/LS
- Verbesserte elektromagnetische Emission
- Programmierbarer Gate-Strom bis zu 120 mA
- Reduzierte Schaltverluste im PWM-Modus
- VDS-Überwachung
- Niedriger IQ (1,05 μA) im Reset-Modus
- High-Side- und Low-Side-fähig für Schutz und Diagnose
- 4 x externe Diodensteuerung, die für die Unterstützung der Kalibrierung der indirekten Strommessung erforderlich ist, kann für die Überwachung bei konstanter Temperatur verwendet werden
- Drain-Source-Überwachung für Kurzschlusserkennung
- Übertemperaturwarnung und thermische Abschaltung
- Timeout-Watchdog für MCU-Steuerung
- Detaillierte Off-State-Diagnosefunktionen (offene Last, Kurzschluss-zu-Batterie oder Kurzschluss-zu-GND) über SPI
- 3 x PWM-Eingänge
- High-Side- und Low-Side-PWM-fähig
- Aktiver Freilauf
- Bis zu 50 kHz PWM-Frequenz
- Serielle 24-Bit-Out-of-Frame-Peripherieschnittstelle (SPI)
- QFN-Gehäuse mit benetzbaren Flanken, 7 mm x 7 mm x 0,9 mm
- -40 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich
- RoHS-konform – umweltfreundliches Produkt
Applikationen
- Sitzsteuerung
- Lenksäule und Gaspedalverstellung
- Schiebetüren, Schiebetüren, Fensterheber, Sicherheitsgurtvorspanner, Frachtabdeckungen und Scheibenpumpen
- Motorvibrationskompensationssysteme
- Elektrische Hubtore
- Zentrale Türschlösser
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