STMicroelectronics EVSTGAP2GSN Demonstrationsboard
Das STMicroelectronics EVSTGAP2GSN Demonstrationsboard ermöglicht eine umfassende Evaluierung des STGAP2GSN isolierten Einzel-gate-Treibers. Der STGAP2GSN wird durch die 2 A Quellen- und 3 A-Senkenfähigkeit sowie rail-to-rail-Ausgänge spezifiziert, die sich für Wechselrichterapplikationen mit mittlerer und hoher Leistung eignen. Das Bauteil verwendet dedizierte gate-Widerstände zur unabhängigen Optimierung des Ein- und Ausschaltens.
Das EVSTGAP2GSN board von STMicro ermöglicht die Evaluierung aller Funktionen des STGAP2GSN, 75 mΩ 650 V SGT120R65AL E-Modus-GaN-Transistoren. Die board-Komponenten sind leicht zugänglich und modifiziert, wodurch die Evaluierung der Treiberleistung unter verschiedenen Applikationsbedingungen und die Feineinstellung der Endkomponenten vereinfacht wird.
Merkmale
- Board
- Halbbrückenkonfiguration, Hochspannungsschiene bis zu 650 V
- SGT120R65AL mit 650 V, 75 mΩ typ., 15 A, E-Modus-PowerGaN-transistor
- Negativer gate-Antrieb
- Isolierte On-board-DC/DC-Wandler zur Versorgung von high-Side- und low-side-gate-Treibern, die von VAUX = 5 V mit maximaler 1,5 kV Isolierung versorgt werden
- VDD-Logikschaltung wird von On-Board-3,3 V oder VAUX = 5 V versorgt
- Einfache Steckbrückenauswahl der Ansteuerspannungskonfiguration: +6 V/0 V; +6 V/-3 V
- Bauelement
- 1700 V Funktionale Isolierung
- Treiberstrombelastbarkeit: 2A/3A Quelle/Senke bei +25 °C, VH = 6 V
- Separate Senke und Quelle für eine einfache gate-Treiber-Konfiguration
- 45 ns Ein-/Ausgangs-Laufzeitverzögerung
- UVLO-Funktion optimiert für GaN
- Gate-Ansteuerspannung bis zu 15 V
- 3,3 V, 5 V TTL/CMOS-Eingänge mit Hysterese
- Übertemperaturschutz
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Komponentenplatzierung oben
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Veröffentlichungsdatum: 2023-06-20
| Aktualisiert: 2023-06-23