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STMicroelectronics MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit STMs Streifenlayout für eines der branchenweit niedrigsten Niveaus an On-Widerstand und Gate-Ladung, wodurch die Komponenten den höchsten Ansprüchen von Wandlern mit hohem Wirkungsgrad gerecht werden. Diese MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs sind vollständig isoliert und in einem Niedrigprofilgehäuse mit erhöhtem Kriechstrom vom Pin zur Kühlkörperplatte untergebracht. Sie sind zu 100% Avalanche-getestet und bieten niedrige Eingangskapazität, Gate-Ladung und Gate-Eingangswiderstand.

Merkmale

  • Fully insulated and low profile package with increased creepage path from pin to heatsink plate
  • Lower RDS(on) x area vs the previous generation 
  • 100% avalanche tested
  • Low input capacitance and gate charge
  • Zener-protected 
  • Low gate input resistance

Applikationen

  • Switching Applications

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Veröffentlichungsdatum: 2009-05-28 | Aktualisiert: 2025-10-24