STMicroelectronics STWA70N65DM6 68-A-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 650 V
Der STWA70N65DM6 68-A-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 650 V ist eine schnelle MDmesh-DM6-Freilaufdiode in einem TO-247-Gehäuse mit langer Anschlussleitung. Der STWA70N65DM6 kombiniert eine sehr niedrige Verzögerungsladung (Qrr), eine sehr niedrige Recoveryzeit (trr ) und einen hervorragenden Drain-Source-On-Widerstand (RDS(on)) pro Bereich mit einem Schaltverhalten mit hohem Wirkungsgrad. Aufgrund dieser Eigenschaften eignet sich dieses Bauteil hervorragend für anspruchsvolle Brückentopologien mit hohem Wirkungsgrad und ZVS-Phasenverschiebungswandlern (Nullspannungsschaltung, ZVS).
Merkmale
- Schnelle Freilauf-Bodydiode
- Statischer Drain-Source-On-Widerstand (RDS(on)): 36 mΩ (typisch), 40 mΩ (max.)
- Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und geringer Widerstand
- Gate-Source-Sapnnung (VGS): ±25 V
- 100 % Avalanche-getestet
- Extrem hohe dv/dt-Robustheit
- Zener-geschützt
- Betriebstemperaturbereich (TJ): -55 °C bis +150 °C
- Gehäuseausführung: TO-247 mit langer Anschlussleitung
- ECOPACK®-Gehäuse: REACH-, RoHS- und EL-konform
Testschaltungen
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Eine große Auswahl von Drop-in-Ersatzteilen für Universal-Analog-ICs, diskrete und serielle EEPROMs.
Veröffentlichungsdatum: 2019-12-02
| Aktualisiert: 2024-02-22