STMicroelectronics STripFET VI™ Leistungs-MOSFETs

STMicorelectronics STripFET VI™ Leistungs-MOSFETs sind Anreicherungstyp-MOSFETs, die von der proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur von STMicroelectronics profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™-Leistungs-MOSFET, der eine Trench-Technologie für einen hohen Wirkungsgrad und niedrigen R_DS(on) verwendet, die in verschiedenen Automotive- und Industrie-Schaltapplikationen, wie z. B. Motorsteuerung, USV, DC/DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solarapplikationen erforderlich sind. Sie bieten eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Stoßentladungsfestigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte.

Merkmale

R_DS(on)* Qg-Industrie-Benchmark
Sehr geringer Einschaltwiderstand R_DS(on)
Hohe Stoßentladungs-Robustheit

Niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste
Sehr niedrige Schalt-Gate-Ladung

Applikationen

Industrie
- Motorsteuerung: Handgeräte, Lüftersteuerung, Kleingeräte, E-Bike, BLDC, Antrieb, Gabelstapler, umweltfreundliche Kraftfahrzeuge
- DC/AC und DC/DC (SNT), medizinische Geräte, USV, Haushaltsgeräte
- SNT für Server, Solar und Desktop, AC/DC-Wandler, Ladegeräte, Adapter, Schweißen, Messapplikationen
- Beleuchtung: CFL, HID, HF-Vorschaltgeräte, Projektorlampen, 3 0 Hilfsnetzteile
- Batterieschutz
- Aufwärtswandler und Mikrowechselrichter

Automotive
- Sicherheit und Fahrwerk: Fensterheber, elektronische Parkbremse
- Antriebsstrang: Pumpensteuerung, Getriebe
- Karosserieelektronik: Scheibenwischer, Schiebedach