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STMicroelectronics 600 bis 650V IGBTs

STMicroelectronics 600 bis 650V IGBTs

STMicroelectronics 600 bis 650V IGBTs liefern einen maximalen Kollektorstrom von 3A bis zu 150A für Anwendungen mit einer Betriebsfrequenz von 100kHz. Versionen mit individueller integrierter Antiparallel-Diode für Entwicklungsoptimierung sind ebenfalls erhältlich. Dieser Spannungsbereich wird mit Hilfe von STs proprietärer Standard-Punch-Through-PowerMESH-Technologie und der neu entwickelten Trench-Gate-Field-Stop-Technologie ermöglicht. Zu den Zielanwendungen für diese 600 bis 650V IGBTs zählen Haushaltsgeräte, Induktionserwärmung, Photovoltaik, USV, Schweißen und Beleuchtung. Die verfügbaren Gehäuseoptionen sind D2PAK, DPAK, ISOTOP, Max247, TO-220, TO-220FP, TO-247, TO-247 mit langen Leads, TO-3PF.
Merkmale
  • Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175°C
  • Hochgeschwindigkeitsschalter
  • Geringe Sättigungsspannung
  • Präzise Parameterverteilung
  • Sichere Parallelschaltung
  • Niedriger Wärmewiderstand
  • Bleifreies Gehäuse
  • Sehr schnelle sanfte antiparallele Freilaufdiode
  • Diode mit sanftem Schaltverhalten und niedriger Durchlassspannung wird mitgeliefert.
  • Deaktivierungsstromfreies Abschalten
Anwendungsbereiche
  • Induktionserwärmung
  • Mikrowellenöfen
  • Resonanzwandler
  • Photovoltaik-Umrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgung
  • Schweißen
  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Hochfrequenzumrichter
  • Inverter
  • Motorsteuerung
 
Part NumberData SheetCollector-Emitter Saturation VoltageContinuous Collector Current at 25 CPd - Power Dissipation
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  • STMicroelectronics
Veröffentlichungsdatum: 2013-07-19 | Aktualisiert: 2026-01-12