STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

Der STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT ist mit einem fortschrittlichen Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt. Der STGHU30M65DF2AG von STMicroelectronics bietet eine ideale Balance zwischen Wechselrichterleistung und Wirkungsgrad mit geringer Verlustleistung und Kurzschluss-Sicherung. Der positive VCE(sat) -Temperaturkoeffizient und die konsistente Parameterverteilung verbessern den sicheren Parallelbetrieb.

Merkmale

  • AEC-Q101-qualifiziert
  • TJ = +175 °C maximale Sperrschichttemperatur
  • Mindest-Kurzschlussfestigkeitszeit: 6 μs
  • VCE (sat) = 1,6 V (typisch) bei IC = 30 A
  • Enge Parameterverteilung
  • Sicherer Parallelbetrieb
  • Niedriger thermischer Widerstand
  • HU3PAK-Gurtverpackung
  • Sanfte und sehr schnelle antiparallele Freilaufdiode
  • Hervorragende Schaltleistung dank des zusätzlichen Kelvin-Ansteuerungspins

Applikationen

  • Automotive-Motorsteuerung
  • E-Kompressoren
  • Industrielle Motorsteuerung
  • Netzteile und Wandler

Schaltplan

Applikations-Schaltungsdiagramm - STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT
Veröffentlichungsdatum: 2024-09-06 | Aktualisiert: 2024-09-12