STMicroelectronics RF5L15120CB4 LDMOS-HF-Leistungstransistor
Der RF5L15120CB4 LDMOS-HF-Leistungstransistor von STMicroelectronics verfügt über einen hohen Wirkungsgrad und lineare Gain-Betriebsabläufe. Der RF5L15120CB4 120-W-LDMOS-FET bietet einen signifikanten positiven und negativen Gate-/Source-Spannungsbereich. Das Bauteil kann in Klasse AB/B oder Klasse C für alle typischen Modulationsformate verwendet werden.
Der RF5L15120CB4 LDMOS-HF-Leistungstransistor von STM ist für kommerzielle Breitband-Kommunikation, Fernsehübertragung, Avionik und Industrieapplikationen mit einer Frequenz von HF bis 1,5 GHz ausgelegt.
Merkmale
- Hoher Wirkungsgrad und lineare Gain-Betriebsabläufe
- Integrierter ESD-Schutz
- Großer positiver und negativer Gate-/Source-Spannungsbereich
- Hervorragende thermische Stabilität, niedrige HCI-Drift
- In Übereinstimmung mit der europäischen Richtlinie 2002/95/EG
Applikationen
- Kommerzielle Breitbandkommunikation
- Fernsehübertragung
- Avionik
- Industrieapplikationen
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung: 95 V
- Gate-Source-Spannung: -8 V/+10 V
- Maximale Betriebsspannung: 55 V
- Maximale Sperrschichttemperatur: +200 °C
- Lagertemperaturbereich: -65 °C bis +150 °C
Pin-Verbindung
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Veröffentlichungsdatum: 2022-12-02
| Aktualisiert: 2022-12-12