STMicroelectronics N-Kanal-PowerMESH-Leistungs-MOSFETs

DieSTMicroelectronics N-Kanal-PowerMESH-Leistungs-MOSFETs werden mit dem konsolidierten Streifenlayout basierend auf dem MESH OVERLAY™ Prozess von STMicroelectronics hergestellt. Dieser Prozess bringt eine fortgeschrittene Produktfamilie von Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs mit hervorragender Leistung hervor. Das optimierte Layout zusammen mit der proprietären Randabschlussstruktur bietet den niedrigsten R_DS(on) pro Bereich, eine Gateladung und Schaltereigenschaften, die konkurrenzlos sind.