STMicroelectronics M95P16 Ultra Low Power 16-Mbit SPI Seiten-EEPROM
Der M95P16 16-Mbit-EEPROM der Baureihe SPI Page von STMicroelectronics mit extrem niedrigem Stromverbrauch basiert auf der nichtflüchtigen Speichertechnologie (NVMe). Dieser EEPROM bietet Byte-Flexibilität, Seitenänderbarkeit, hohe Seitenzyklusleistung und einen extrem niedrigen Stromverbrauch, der der EEPROM-Technologie entspricht. Das M95P16 EEPROM ist in 4096 programmierbare Seiten mit jeweils 512 Bytes angeordnet, auf die über einen SPI-Bus mit leistungsstarken Dual- und Quad-SPI-Ausgängen zugegriffen wird. Dieses EEPROM hat einen extrem niedrigen Stromverbrauch, ECC für eine hohe Speicherzuverlässigkeit (DEC, TED), eine elektronische Identifizierung und Schmitt-Trigger-Eingänge für die Rauschfilterung. Das M95P16 EEPROM unterstützt eine Taktfrequenz bis zu 80 MHz, einen Versorgungsspannungsbereich von 1,6 V bis 3,6 V und ist ECOPACK2-konform (RoHS-konform) und halogenfrei.
Das M95P16 EEPROM bietet zwei zusätzliche 512-Byte-Seiten (Identifizierung). Die erste Seite enthält Identifikationsdaten und auf Anfrage die UID. Die zweite Seite kann empfindliche Applikationsparameter speichern, die später dauerhaft im schreibgeschützten Modus gesperrt werden können. Dieses EEPROM akzeptiert Seiten-/Block-/Sektor-/Chip-Löschbefehle, um den Speicher in einen gelöschten Zustand zu versetzen.
Merkmale
- ECC für hohe Speicherzuverlässigkeit (DEC und TED)
- Schmitt-Trigger-Eingänge für Rauschfilterung
- Programmierbare Stärke des Ausgangspuffers
- Betriebszustandskennzeichen für ISO26262
- Software-Reset
- Schreibschutz nach Block, mit Option oben/unten
- Eindeutige ID auf Anfrage
- Elektronische Identifizierung
- Unterstützt den SFDP-Modus (Serial Flash Discoverable Parameters)
- JEDEC-Standard-Herstelleridentifikation
- Gehäuse:
- ECOPACK2 (RoHS-konform) und halogenfreie Gehäuse:
- DFN8 2 mm x 3 mm
- SO8N
- WLCSP8
- ECOPACK2 (RoHS-konform) und halogenfreie Gehäuse:
Technische Daten
- Schnittstelle:
- Unterstützt eine serielle Peripherieschnittstelle (SPI) und Dual-/Quad-Ausgänge
- Großer Spannungsbereich: 1,6 V bis 3,6 V VCC
- Temperaturbereich:
- -40 °C bis 85 °C (Industrie)
- -40 °C bis 105 °C (erweitert)
- Schnelles Lesen:
- Lese-Einzelausgang: 50 MHz
- 80 MHz Fast-Read-Einzel-/Doppel-/Vierfach-Ausgang mit einem Dummy-Byte
- Speicher:
- 16 Mbit Seiten-EEPROM
- 32 Kbyte Blöcke und 4 Kbyte Sektoren
- Seitengröße: 512 Byte
- Zwei Identifikationsseiten
- Schreibbeständigkeit von 500k Zyklen über den gesamten Temperaturbereich
- Datenspeicherung:
- 100 Jahre
- 10 Jahre nach 500k Zyklen
- 16 Mbit Seiten-EEPROM
- Extrem niedriger Stromverbrauch:
- 0,6 μA (typisch) im tiefen Abschaltmodus
- 16 μA (typisch) im Standby-Modus
- 800 μA (typisch) für einfaches Lesen bei 10 MHz
- 1,5 mA (typisch) für Seitenschreiben
- Spitzenstromregelung <3 mA
- Hohe Schreib-/Löschleistung
- Schnelle Schreib-/Programmier-/Löschzeiten:
- 2 ms (typisch) für das Schreiben von Bytes und Seiten (einschließlich automatischer Löschung und Programm) für 512 Bytes
- 1,2 ms (typisch) für Seitenprogrammierung (512 Byte)
- 1,1 ms (typisch) für Seitenlöschung
- 1,3 ms (typisch) für Sektorlöschung
- 4 ms (typisch) für Blocklöschung
- 8 ms (typisch) für Chip-Löschung
- Seitenprogramm mit Pufferlast
- Schnelle Schreib-/Programmier-/Löschzeiten:
Blockdiagramm
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Veröffentlichungsdatum: 2023-03-23
| Aktualisiert: 2024-12-17