STMicroelectronics M-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics M-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

Die STMicroelectronics Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der M-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Sie stellen einen optimalen Kompromiss der Leistung zur Maximierung der Umrichtersysteme dar, bei denen ein niedriger Verlust und eine Kurzschlussfestigkeit entscheidend sind. Außerdem führen ein positiver VCE-Temperaturkoeffizient (sat) und eine äußerst geringe Parameterverteilung zu sichererem Parallelbetrieb. Typische Anwendungsbereiche für diese Komponenten umfassen Industrieantriebe, USV, Solar- und Schweißtechnik.

Merkmale
  • 10μs minimale Kurzschlussfestigkeitszeit
  • Strikte Parameterverteilung
  • Sicherer Parallelbetrieb
  • Niedriger Wärmewiderstand
  • Sanfte und schnelle antiparallele Freilaufdiode
Anwendungsbereiche
  • Industrieantriebe
  • USV
  • Solar
  • Schweißen
Teile-Nr.Gehäuse/HülleKollektor-Emitterspannung VCEO Max.Kollektorgleichstrom bei 25 CPd - Power DissipationDatenblatt
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  • STMicroelectronics
Veröffentlichungsdatum: 2014-12-11 | Aktualisiert: 2026-01-12