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STMicroelectronics HB-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

Die STMicroelectronics Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der HB-Serie sind IGBTs, die eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwenden. Diese neuen HB-Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine äußerst geringe Parameterverteilung ermöglichen einen sichereren Parallelbetrieb.

Merkmale

  • Designed for soft commutation only
  • Maximum junction temperature: TJ = +175°C
  • High-speed switching series
  • Minimized tail current
  • VCE(sat) = 1.55V (typ.) at IC = 30A
  • Low VF soft recovery co-packaged diode
  • Tight parameters distribution
  • Safe paralleling
  • Low thermal resistance
  • Lead-free package
  • Very fast soft recovery antiparallel diode

Applikationen

  • Microwave oven
  • Resonant converters
  • Photovoltaic inverters
  • High frequency converters

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Veröffentlichungsdatum: 2016-04-21 | Aktualisiert: 2023-10-17