STMicroelectronics 650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs
STMicroelectronics 650 Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs verfügen über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) pro Fläche zusammen mit einer hervorragenden Schaltleistung. Dies trägt zu effizienteren und kompakteren Systemen bei.Im Vergleich zu Silizium-MOSFETs zeichnen sich SiC-MOSFETs durch einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Fläche selbst bei hohen Temperaturen aus. Darüber hinaus verfügen die SiC-MOSFETs verfügen über eine ausgezeichnete Schaltleistung im Vergleich zu erstklassigen IGBTs in allen Temperaturbereichen. Dies vereinfacht das thermische Design von Leistungselektroniksystemen.
Merkmale
- Sehr hohes Temperaturbelastbarkeitspotenzial (max. TJ = 200 °C) mit dem Ergebnis eines verringerten PCB-Formfaktors (vereinfachtes Wärmemanagement) und eine verbesserte Systemzuverlässigkeit
- Deutlich reduzierte Schaltverluste (minimale Veränderung gegenüber Temperatur), was zu kompakteren Designs (mit kleineren passiven Komponenten) führt
- Geringer Einschaltwiderstand (20 mΩ bei 25 °C für 650V-Bauteile, typisch und 80 mΩ bei 25 °C für 1.200V-Bauteile, typisch), was zu einem höheren Systemwirkungsgrad aufgrund des geringeren Kühlungsbedarfs führt
- Einfacher Antrieb (kostengünstige Netzwerk-Ansteuerung)
- Sehr schnelle und robuste intrinsische Bodydiode (die Notwendigkeit einer externen Freilaufdiode entfällt und führt zu kompakteren Systemen)
Applikationen
- Automotive
- Main inverters (electric traction)
- DC/DC converter for EVs/HEVs
- Onboard chargers (OBC)
- Switching
- Power supplies for renewable energy systems
- High frequency DC-DC converters
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SiC-MOSFET-Bereich
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Veröffentlichungsdatum: 2019-01-16
| Aktualisiert: 2024-09-26