Vishay Siliconix Si88xx 8V
TrenchFET® Power MOSFETs
Vishay Siliconix Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs besitzen die branchenweit ersten n- und p-Kanal Power MOSFET im branchenweit kleinsten 0.8 mm x 0.8 mm Chipscale-Gehäuse, zusätzlich zu den ersten n- und p-Kanal-Geräten, für Einschaltwiderstand (RDS(on)) bis hinab zu 1.2 V in dieser Gehäusegröße. Die Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs kommen in einem MICRO FOOT® Gehäuse, das bis zu 36 % weniger Platz auf der Platine benötigt als das nächstgrößere Chipscale-Geräte, sowie vergleichbaren − und sogar geringeren − Einschaltwiderstand (RDS(on)). Diese Vishay Siliconix Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs können für Lastschalter in Handheld-Geräten einschließlich Smartphones, Tablet PCs, tragbare Media Player und mobile Computer genutzt werden. Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs' ultradünnes 0.357 mm Profil spart wertvollen Platz auf der Platine in diesen Anwendungen − womit sie kleinere, dünnere mobile Produkte möglich machen.
Features
Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 Definition
TrenchFET® Power MOSFET
Extrem kleine Größe von 0.8 mm x 0.8 mm
Geringer Einschaltwiderstand
Typ. ESD-Schutz 1500 V HBM
Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EC
Anwendungen
Mobiltelefone, Smartphones, Tablet PCs, tragbare Media Player
