Vishay Semiconductors VEMD4210FX02 Umgebungslichtsensor
Der Umgebungslichtsensor VEMD4210FX02 von Vishay Semiconductors ist eine hochempfindliche Hochgeschwindigkeits-PIN-Fotodiode. Es handelt sich um ein Miniatur-SMD (Surface Mount Device) mit einer empfindlichen Fläche von 0,42 mm2. Die spektrale Empfindlichkeit ist mit einer Spitzenwellenlänge von 530 nm auf die des menschlichen Auges abgestimmt. Typische Applikationen für die Vishay Semiconductors VEMD4210FX02 sind Hintergrundbeleuchtung Verdunkelung automatische Lichtsteuerung und fahrzeug Sensoren.
Merkmale
- Gehäuseausführung Surface-Mount
- 0805 Gehäuseform
- Abmessungen 2 mm x 1,25 mm x 0,7 mm (L x B x H)
- Strahlungsempfindliche Fläche 0,42 mm2
- Umgebungstemperaturbereich von -40 °C bis +110 °C (Tamb)
- An die Empfindlichkeit des menschlichen Auges angepasst
- ϕ = ±52 ° Winkel der halben Empfindlichkeit
- Lebensdauer auf dem Boden von 72 Stunden, MSL 4, gemäß J-STD-020
- Blei-freies Reflow-Löten
- AEC-Q102-qualifiziert
Applikationen
- Verdunkelung der Hintergrundbeleuchtung
- Automatische Lichtsteuerung
- Fahrzeugsensoren
Technische Daten
- 0,9 V (typisch) Durchlassspannung (VF) mit IF = 5,0 mA
- 20 V (min.) Durchschlagspannung (V(BR)) bei IR = 100 μA, E = 0 lx
- 5 nA (max.) umgekehrter Dunkelstrom (Iro) bei VR = 10 V, E = 0 lx
- Umgekehrter Lichtstrom (Ira)
- 18 nA (typisch) bei EV = 100 lx, weiße LED 4300 K, VR = 5 V
- 14 nA (typisch) bei EV = 100 lx, CIE-Leuchtstoff A, VR = 5 V
- 779 nA (typisch) mit Ee = 1 mW/cm2 λ = 530 nm VR= 5 V
- Spektraler Bandbreitenbereich von 470 nm bis 610 nm (typisch)
- 100 ns (typisch) Anstiegszeit bei VR = 10 V, RL = 50 Ω, λ = 530 nm
- 100 ns (typisch) Abfallzeit bei VR = 10 V, RL = 50 Ω, λ = 530 nm
Gehäuseabmessungen
Veröffentlichungsdatum: 2025-10-16
| Aktualisiert: 2025-10-27