Renesas Electronics RBA250N10CHPF-4UA02 n-Kanal-Leistungs-MOSFET
Der Renesas Electronics RBA250N10CHPF-4UA02 n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist für Hochstrom-Schaltapplikationen ausgelegt. Dieser MOSFET verfügt über einen extrem niedrigen 2,4 mΩ Durchlasswiderstand (VGS = 10 V, ID = 125 A). Der RBA250N10CHPF-4UA02 MOSFET bietet eine typische niedrige Eingangskapazität von 9.500 pF (VDS = 50 V). Dieser n-Kanal-Leistungs-MOSFET eignet sich für Anwendungen im Automobilbereich, wie z. B. Niederspannungsinverter für die Steuerung von 2/3-Rad-Traktionsmotoren und 180-Grad-Sensorlose FoC-Elektrowerkzeuge. Weitere Applikationen umfassen bidirektionale 12-V-/48-V-DC/DC-Wandler und eine erweiterte Automotive-Überwachungsfunktion für Motorsteuerungssysteme.
Merkmale
- Extrem niedriger Einschaltwiderstand:
- RDS (on) = 2,4 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 125 A)
- Niedrige Eingangskapazität:
- Ciss = 9.500 pF Typ. (VDS = 50 V)
- Für Fahrzeuganwendungen ausgelegt und AEC-Q101-qualifiziert
- Bleifrei (dieses Produkt enthält kein Pb in der externen Elektrode)
Applikationen
- Niederspannungs-Wechselrichter für 2-/3-Fahrzeug-Fahrmotorregelung
- Sensorlose FOC-Elektrowerkzeuge mit 180°
- Bidirektionaler 12-V-/48-V-DC/DC-Wandler
- Erweiterte Überwachungsfunktion für das Motorsteuerungssystem
Abmessungen
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2023-06-27
| Aktualisiert: 2024-03-15