Qorvo QPD1004A Eingangsangepasste GaN-Transistoren
Die eingangsangepassten GaN-Transistoren der Baureihe QPD1004A von Qorvo sind Galliumnitrid-auf-Siliciumcarbid-High-Electron-Mobility-Transistoren (GaN-on-SiC-HEMT) mit 25 W (P3dB), 50-Ω-Eingangsanpassung, die im Frequenzbereich von 30 MHz bis 1400 MHz bei 50 V Versorgungsspannung betrieben werden. Ein integriertes Eingangsanpassungsnetzwerk ermöglicht eine breitbandige Verstärkung- und Leistungsfähigkeit, während der Ausgang on-board angepasst werden kann, um die Leistung und den Wirkungsgrad für jeden Bereich innerhalb des Frequenzbereichs zu optimieren. Die Transistoren der Baureihe QPD1004A von Qorvo eignen sich ideal für Basisstationen, Radar- und Kommunikationsapplikationen und unterstützen sowohl CW- als auch gepulste Betriebsmodi. Diese Bauteile sind in einem branchenüblichen oberflächenmontierten DFN-Gehäuse von 6 mm x 5 mm x 0,85 mm untergebracht.
Merkmale
- 25 W (P3dB), 50 Ω diskreter eingangsangepasster GaN-on-SiC-HEMT
- Arbeitet von 30 MHz bis 1400 MHz bei einer Versorgungsspannung von 50 V
- Integriertes Eingangsanpassungsnetzwerk
- Gehäuse mit niedrigem thermischen Widerstand
- CW- und Impuls-fähig
- Oberflächenmontiertes DFN-Gehäuse mit den Abmessungen 6 mm x 5 mm x 0,85 mm
- SVHC- und PFOS-frei
- Bleifrei, halogen-/antimonfrei und RoHS-konform
Applikationen
- Militär-Radar
- Landmobil- und Militärfunk-Kommunikation
- Prüf- und Messgeräte
- Breitband- oder Schmalband-Verstärker
- Störsender
Technische Daten
- +145 V maximale Durchschlagspannung
- 3,6 A maximaler Drainstrom
- 55 V maximale Drain-Spannung
- 50 mA typischer Drain-Bias-Strom
- -7 V bis +2 V maximaler Gate-Spannungsbereich, typisch -2,8 V
- 7,2 mA maximaler Gate-Strombereich
- Maximale Verlustleistung von 27,6 W, 25 W Betriebsleistung
- 29,7 dBm maximale HF-Eingangsleistung
- 0,6 GHz bis 1,2 GHz Frequenzbereich
- Lineare Verstärkungsbereiche
- 18,4 dB bis 21,2 dB leistungsoptimiert
- 18,8 dB bis 22,6 dB effizienzoptimiert
- Ausgangsleistungsbereiche bei 3 dB Kompression
- 45,7 dBm bis 46,0 dBm leistungsoptimiert
- 43,5 dBm bis 45,0 dBm effizienzoptimiert
- Bereiche der Leistungszusatzeffizienz bei 3 dB Komprimierung
- 59,5 % bis 63,5 % leistungsoptimiert
- 65,0 % bis 73,7 % effizienzoptimiert
- Verstärkungsbereiche bei 3 dB Kompression
- 15,4 dB bis 18,2 dB leistungsoptimiert
- 15,8 dB bis 19,6 dB effizienzoptimiert
- +320 °C maximale Montagetemperatur für 30 s
- -40 °C bis +85 °C Betriebstemperaturbereich
- Maximale Kanaltemperatur +250 °C
- Feuchteempfindlichkeitsstufe (MSL) 3
- ESD-Festigkeitswerte gemäß ANSI/ESD/JEDEC JS-001
- 250 V Human-Body-Modell (HBM)
- 1000 V Charged Device Model (CDM)
Funktionales Blockdiagramm
Verwandtes Development Tool
Qorvo QPD1004AEVB Evaluierungsboard
Speziell entwickelt zur schnellen Charakterisierung von Bauteilen und zum Prototyping von Verstärkern im Frequenzbereich von 100 MHz bis 1 GHz.
Veröffentlichungsdatum: 2026-01-13
| Aktualisiert: 2026-01-19