Panasonic Industrial Devices APV-Hochleistungs-Photovoltaik-MOSFET-Treiber
Panasonic APV Hochleistungs-Photovoltaic-MOSFET-Treiber bieten einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb und einen niedrigen Einschaltwiderstand in einem oberflächenmontierbaren Miniatur-SSOP-Gehäuse. Die Komponenten werden in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C betrieben und verfügen außerdem über eine I/O-Isolationsspannung von 1.500 Vrms, eine typische I/O-Kapazität von 0,8 pF und einen anfänglichen I/O-Isolationswiderstand von 1.000 MΩ bei 500 VDC Die APV Photovoltaik-MOSFET-Treiber von Panasonic eignen sich hervorragend für Messgeräte, Prüfanlagen, Industriemaschinen, Industrieanlagen, Rechenzentren und FA-Netzteile.
Merkmale
- Oberflächenmontierbares Miniatur-SSOP-Gehäuse
- 1-Form-A-Ausgangskonfiguration
- Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Betrieb (APV1111GVY – hoher Ausgangsstrom)
- Niedriger MOSFET-Einschaltwiderstand (APV3111GVY – hohe Ausgangsspannung)
- RoHS-konform
Applikationen
- Messgeräte
- Prüfanlagen
- Industriemaschinen
- Industrieanlagen
- Rechenzentrum
- FA-Netzteil
Technische Daten
- Ausgangsnennleistung
- Typische Dropout-Spannung: 8,5 V oder 18 V
- Typische Kurzschlussströme: 45 µA oder 12 µA
- Eingang
- LED-Durchlassstrom: 30 mA
- LED-Sperrspannung: 5 V
- Spitzendurchlassstrom: 1 A
- Verlustleistung: 60 mW
- I/O-Isolationsspannung: 1.500 Vrms
- Umgebungstemperaturbereiche
- Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
- Lagertemperatur: -40 °C bis +100 °C
- 0,8 pF Typische I/O-Kapazität
- Anfänglicher I/O-Isolationswiderstand bei 500 VDC: 1.000 MΩ
Schaltschema
Verkabelungsschaltplan
Veröffentlichungsdatum: 2021-04-15
| Aktualisiert: 2024-02-29