onsemi TF412 n-Kanal-JFET
Der onsemi TF412 n-Kanal-JFET wurde für Niederfrequenz-Universalverstärker und Impedanzwandler-Applikationen konzipiert. Der TF412 von onsemi wird mit einer maximalen Spannung von 30 V und einem Strom von 10 mA, mit einem beeindruckend kleinen Eingangs-Gate-Source-Ableitstrom (IGSS) von -1,0 nA (VGS = -20 V, VDS = 0 V) und einer typischen Eingangskapazität (Ciss) von 4 pF (VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz). Dieser JFET von onsemi ist in einem ultra-kleinen SOT-883-Gehäuse (1,0 mm × 0,6 mm × 0,4 mm) untergebracht und unterstützt die Produktminiaturisierung. Er entspricht den halogenfreien Umweltstandards und ist damit eine ausgezeichnete Wahl für kompakte und umweltfreundliche Designs.
Merkmale
- Kleine IGSS: max - 1,0 nA (VGS= -20 V, VDS= 0 V)
- Kleiner Ciss: typisch 4 pF (VDS= 10 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz)
- Ultra-kleines Gehäuse erleichtert die Miniaturisierung von Endprodukten
- Halogenfreie Konformität
Applikationen
- Niederfrequenz-Universalverstärker
- Impedanz-Konvertierung
- Applikationen für Infrarotsensoren
Veröffentlichungsdatum: 2025-01-20
| Aktualisiert: 2025-03-05