onsemi T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs
T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs von onsemi sind Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs in den Kategorien 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten, erhöhtem Systemwirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen RDS(on), um Leitungsverluste zu minimieren, und eine niedrige Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren. Die T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen QRR und eine Soft-Recovery-Body-Diode. Diese MOSFETs entsprechen der RoHS-Richtlinie und sind bleifrei und halogenfrei/BFR-frei. Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR) in DC/DC- und AC-DC-Wandlern, Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern, Batterieschutz und Motorantriebe.Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
- Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
- Niedriger QRR, Soft-Recovery-Body-Diode
- 40 V und 80 V Drain-Source-Spannung
- -55 °C bis 175 °C Sperrschicht-Betriebstemperatur- und Lagertemperaturbereich
- 260 °C Leitungstemperatur für Lötzwecke
- Bleifrei und halogenfrei/BFR-frei
- RoHS-konform
Applikationen
- Synchrongleichrichtung (SR) in DC−DC und AC−DC
- Primärschalter in einem isolierten DC-DC-Wandler
- Batterieschutz
- Motorantriebe
N-Kanal-MOSFET
Weitere Ressourcen
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| Teilnummer | Datenblatt | Abfallzeit | Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min. | Id - Drain-Gleichstrom | Pd - Verlustleistung | Qg - Gate-Ladung | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Anstiegszeit | Regelabschaltverzögerungszeit | Typische Einschaltverzögerungszeit | Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung | Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung | Vgs - Gate-Source-Spannung | Verpackung | Verpackung/Gehäuse | RoHS - Mouser |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS1D7N04XMT1G | ![]() |
17 ns | 77 S | 154 A | 75 W | 29 nC | 1.65 mOhms | 13 ns | 10 ns | 7 ns | 40 V | 3.5 V | 20 V | Reel | DFN-5 | Y |
| NTTFS5D6N08XLTAG | ![]() |
3 ns | 113 S | 79 A | 82 W | 14 nC | 5.3 mOhms | 3 ns | 24 ns | 10 ns | 80 V | 2.1 V | 20 V | Reel | WSFN-8 | Y |
| NTBLS1D1N08XTXG | ![]() |
152 ns | 294 S | 299 A | 197 W | 120 nC | 1.1 mOhms | 118 ns | 40 ns | 22 ns | 80 V | 3.6 V | 20 V | Reel | H-PSOF-8L | Y |
| NTMFS4D0N04XMT1G | ![]() |
9 ns | 32 S | 80 A | 43 W | 12 nC | 3.9 mOhms | 8 ns | 10 ns | 7 ns | 40 V | 3.5 V | 20 V | Reel | DFN-5 | Y |
| NTMFS4D5N08XT1G | ![]() |
30 ns | 61 S | 94 A | 82 W | 15 nC | 4.5 mOhms | 24 ns | 16 ns | 11 ns | 80 V | 3.6 V | 20 V | Reel | DFN-5 | Y |
| NTMFS6D2N08XT1G | ![]() |
24 ns | 48 S | 73 A | 68 W | 19 nC | 6.2 mOhms | 19 ns | 15 ns | 10 ns | 80 V | 3.6 V | 20 V | Reel | DFN-5 | Y |
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-29
| Aktualisiert: 2025-10-06

